具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线

    公开(公告)号:CN103236591A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310123791.2

    申请日:2013-04-10

    IPC分类号: H01Q23/00 H01Q1/22

    摘要: 具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线,包括半绝缘砷化镓基片,半绝缘砷化镓基片上为正、负两个AuGeNi合金电极,半绝缘砷化镓基片可视为阻值较大的电阻RGaAs,两个AuGeNi合金电极可视为两个阻值较小的电阻ROhm,电阻RGaAs与两个电阻ROhm串联,ROhm<<RGaAs。本发明通过天线电极的欧姆接触,增加了光电导天线的击穿电场,同时使天线中的电场分布基本或全部覆盖了整个电极间隙,随着单位面积的光生载流子密度的减小,库伦屏蔽效应和辐射场屏蔽效应得到了有效的控制,提高了天线的发射效率。相较于传统的光电导天线,本发明具有AuGeNi合金欧姆接触电极光电导天线的辐射效率和辐射功率得到了显著的提高。

    具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线

    公开(公告)号:CN103236591B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201310123791.2

    申请日:2013-04-10

    IPC分类号: H01Q23/00 H01Q1/22

    摘要: 具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线,包括半绝缘砷化镓基片,半绝缘砷化镓基片上为正、负两个AuGeNi合金电极,半绝缘砷化镓基片可视为阻值较大的电阻RGaAs,两个AuGeNi合金电极可视为两个阻值较小的电阻ROhm,电阻RGaAs与两个电阻ROhm串联,ROhm<<RGaAs。本发明通过天线电极的欧姆接触,增加了光电导天线的击穿电场,同时使天线中的电场分布基本或全部覆盖了整个电极间隙,随着单位面积的光生载流子密度的减小,库伦屏蔽效应和辐射场屏蔽效应得到了有效的控制,提高了天线的发射效率。相较于传统的光电导天线,本发明具有AuGeNi合金欧姆接触电极光电导天线的辐射效率和辐射功率得到了显著的提高。

    阵列式光电导天线结构
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203277643U

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201320178758.5

    申请日:2013-04-10

    IPC分类号: H01Q1/38 H01Q21/28

    摘要: 一种阵列式光电导天线结构,包括在砷化镓材料上用电子束蒸发工艺淀积的多对Au/Ge/Ni电极,构成天线阵列,正负电极交叉设置,呈叉指形结构,每对电极为一个天线阵元且相互独立;天线阵列安装在陶瓷片支撑衬底上,陶瓷片上设有太赫兹波通过的孔。本实用新型天线阵列,每对电极可以作为单独的天线使用,各自施加偏压;电极做成相同结构时即可进行合成。本实用新型可以有效减少砷化镓材料的使用,从而降低了成本,并且可以通过多个阵元的相干合成提高天线的辐射功率。

    一种太赫兹光电导天线结构

    公开(公告)号:CN203026639U

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201220718762.1

    申请日:2012-12-24

    IPC分类号: H01Q1/38 H01Q1/22

    摘要: 本实用新型涉及一种天线结构,尤其涉及一种太赫兹光电导天线结构,包括光电导天线及天线加压装置,所述天线加压装置包括天线支架及支架底座,所述天线支架与支架底座连接,所述光电导天线安装于天线支架的顶端面;所述光电导天线包括基体,所述基体设置有第一电极及第二电极,该第一电极与第二电极所施加电压的极性相反,所述第一电极与第二电极之间有间隙。本实用新型主要应用于太赫兹时域光谱系统,其结构简单、安装更换方便,通过光电导天线向空间辐射皮秒脉冲宽度的电磁辐射可以有效地输出稳定的高功率太赫兹波。

    可同时检测太赫兹波偏振度及时域波形的探测天线阵列

    公开(公告)号:CN112268617A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011015862.3

    申请日:2020-09-24

    IPC分类号: G01J3/28 G01J3/447 G01J4/04

    摘要: 本发明公开了一种可同时检测太赫兹波偏振度及时域波形的探测天线阵列,包括M行具有水平电极的天线阵元和N行具有竖直电极的天线阵元,相邻两行具有水平电极的天线阵元之间设置一行具有竖直电极的天线阵元。该阵列采用一组电极方向互相垂直的天线阵元对称排布形成的光电导天线阵列,作为THz‑TDS系统中的太赫兹波探测器能够同时检测水平和垂直两个方向的太赫兹波,从而实现对太赫兹波偏振态的快速检测。

    非平衡液态复合脉冲等离子抛光方法

    公开(公告)号:CN101173361B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200710188401.4

    申请日:2007-11-29

    IPC分类号: C23F3/00

    摘要: 本发明公开的一种抛光液,按质量百分比由以下组分组成:组分A:浓度为1%~10%的(NH4)2SO4水溶液、组分B:浓度为0.2%~3%的乙二胺四乙酸、柠檬酸铵、酒石酸钠或草酸钠其中之一或两种以上的组合。利用该抛光液进行非平衡液态复合脉冲等离子抛光的方法,首先按上述组方配制抛光溶液,然后将待处理工件放入上述配制好的抛光液中,加入复合电脉冲或与之等效的不同正负脉冲的组合,控制正脉冲频率0.5~80kHz,占空比5%~95%,电压为200~480V,使反应处在最剧烈的状态,处理1~5分钟,即完成抛光处理过程。本发明采用了脉冲代替了直流,有利于等离子的产生,使放电等离子获得更高的动能,得到更好的镜面效果和更快的抛光速度。

    光控纳秒电点火装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100453960C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200610042927.7

    申请日:2006-06-06

    IPC分类号: F42C19/12

    摘要: 本发明公开的光控纳秒电点火装置,包括介质隙电点火装置,介质隙电点火装置与超快光电导开关、安全开关串联,该串联电路还与储能元件串连构成闭合回路,储能元件的负极接地。本发明的光控纳秒电点火装置,克服了现有电点火技术和激光点火技术的缺陷,不仅具有抗电磁辐射干扰和静电危害的特点,而且感度灵敏、响应速度快。

    全介质对称破缺太赫兹波传感器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117147484A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311110309.1

    申请日:2023-08-31

    IPC分类号: G01N21/3586 G01N21/01

    摘要: 本发明公开了一种全介质对称破缺太赫兹波传感器,包括介质衬底层,介质衬底层上设置有介质单元,介质单元周围设有一圈介质墙,待测物被介质墙围在介质单元表面,盖板盖在介质墙上将待测物封住。本发明解决了现有技术中存在的太赫兹波传感器灵敏度低,无法实现痕量物质检测的问题。

    一种适用于双色织机的探纬装置及探纬方法

    公开(公告)号:CN112831897B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202011622264.2

    申请日:2020-12-30

    IPC分类号: D03D51/34

    摘要: 本发明公开了一种适用于双色织机的探纬装置及探纬方法,包括电源,电源并联有反相器、第一供电模块,反相器依次连接有第二供电模块、第二探纬器,第一供电模块连接有第一探纬器。通过反相器,将电源输入的高低电平信号进行转换,在织机运行过程中自动进行两个探纬器的切换,减轻人力更换单色探纬器成本。方法简单,易于操作。

    一种空间激光通信终端的在轨自校准装置及其校准方法

    公开(公告)号:CN112564822A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011291747.9

    申请日:2020-11-18

    IPC分类号: H04B17/11

    摘要: 本发明公开了一种空间激光通信终端的在轨自校准装置及其校准方法,包括信标光发射端、第一分光片、中继支路、分色片、光学天线、第一反射镜、信标光接收端、信号激光发射端、第二分光片、第二反射镜及信号激光接收端;将全光反射棱镜连接在光学天线上,将发射光路原路返回到自身接收系统中,对激光通信终端信标光、信号激光收发光轴相对偏差位置和偏差量进行快速自标定,无需通过地面光学通信系统和其它在轨卫星激光通信终端配合实现光轴偏差标定,并通过偏差量算法补偿的方式确保激光通信终端的快速互相定位和跟瞄,大幅降低了卫星在轨运行时激光通信终端进行调试阶段的人工、时间、难度及花费。