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公开(公告)号：CN119959721A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510209325.9
申请日：2025-02-25
Applicant: 西安理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了基于通态漏源电压和漏极电流的SiC MOSFET在线结温估计方法，具体包括如下步骤：步骤1，对SiC MOSFET建立关于通态漏源电压和漏极电流的输入输出特性测试电路；步骤2，通过不同结温、不同栅源极驱动电压以及扫描间隔的设置，对SiC MOSFET输入输出特性测试电路进行直流扫描，构建温度数据簇模型；步骤3，利用步骤2提取的SiC MOSFET的温度数据簇模型，建立SiCMOSFET的结温估计模型；步骤4，构建基于DSP的SiC MOSFET结温估计系统，通过该系统估计并显示当前SiC MOSFET的结温。本发明解决了现有结温估计方法存在的成本高及结温估计结果不准确的问题。
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