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公开(公告)号:CN118173543B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410594358.5
申请日:2024-05-14
申请人: 西安博康电子有限公司
IPC分类号: H01L23/552 , H10N15/10
摘要: 本发明公开了一种防电磁红外敏感元芯片及制备方法,属于敏感元芯片技术领域,包括:从上至下依次连接的掩模板、热释电晶片和基板;所述热释电晶片的底部和顶部端面分别设置有第一电极面和第二电极面;所述第一电极面与所述基板的顶部端面连接;所述第二电极面与所述掩模板的底部端面连接;所述基板顶部端面设置有围绕所述热释电晶片的电磁吸收区,用于防止热释电晶片受电磁干扰;通过在热释电晶片周围设置电磁吸收区,可使热释电红外传感器在具有较强磁场的环境下正常工作,由于外界环境传播的电磁波在传播至热释电晶片周侧时,被电磁吸收区进行吸收和反射,从而降低了电磁波对热释电晶片的干扰,继而测量得到的结果更加的准确。
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公开(公告)号:CN118173543A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410594358.5
申请日:2024-05-14
申请人: 西安博康电子有限公司
IPC分类号: H01L23/552 , H10N15/10
摘要: 本发明公开了一种防电磁红外敏感元芯片及制备方法,属于敏感元芯片技术领域,包括:从上至下依次连接的掩模板、热释电晶片和基板;所述热释电晶片的底部和顶部端面分别设置有第一电极面和第二电极面;所述第一电极面与所述基板的顶部端面连接;所述第二电极面与所述掩模板的底部端面连接;所述基板顶部端面设置有围绕所述热释电晶片的电磁吸收区,用于防止热释电晶片受电磁干扰;通过在热释电晶片周围设置电磁吸收区,可使热释电红外传感器在具有较强磁场的环境下正常工作,由于外界环境传播的电磁波在传播至热释电晶片周侧时,被电磁吸收区进行吸收和反射,从而降低了电磁波对热释电晶片的干扰,继而测量得到的结果更加的准确。
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