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公开(公告)号：CN111510118B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010379102.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高速比较器，包括四个PMOS管，四个NMOS管，两个第一缓冲器和两个或门、第一模拟信号输入端、第二信号输入端、第一比较结果输出端、第二比较结果输出端以及时钟控制端。当时钟控制端qamp为高电平时，比较器处于复位状态。当时钟控制端qamp从高电平跳变到低电平时，比较器处于比较状态。当比较器完成比较后，比较器进入锁存状态，并保持输出结果不变。本发明的比较器也可以通过增加输入管的尺寸，来获得较小的输入失配电压。本发明的高速比较器充分利用了NMOS管的高特征频率的特性，提高了比较器的转换速度。而且电路的结构简单，适用于高速转换电路中。
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公开(公告)号：CN111510147B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010378250.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开一种多比较器结构SAR比较器失调电压数字校正装置及算法，包括电容阵列，N个比较器，N大于2，SAR逻辑电路和转换数值特征检测电路。使用的SAR为带冗余补偿的结构。原有的冗余量被分为两部分，当冗余量较小时，SAR电路正常工作，并且不会触发比较器输入失配的校正；当冗余量超过一定值后，SAR可能工作在非正常状态下。此时通过SAR的转换结果的数值特征来判断比较器的输入失配电压的调整方向。比较器的输入失配电压，并不需要都调整到0。只需保证第1到N‑1比较器的失配电压和第N个比较器相等即可。本算法并不需要额外的校正时序，有利于减小SAR的时序电路复杂度和提高SAR的转换速率。
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公开(公告)号：CN111510148A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010384431.8
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03M1/12
Abstract: 高速多路时间交织SAR模数转换器，包括对称设置且与信号输入端、时钟电路相连的第一SAR模数转换模块和第二SAR模数转换模块；第一SAR模数转换模块包括第一采样保持电路和第二采样保持电路，第一采样保持电路和第二采样保持电路均与第一输入缓冲器相连；第二SAR模数转换模块包括第三采样保持电路和第四采样保持电路，第三采样保持电路和第四采样保持电路均与第二输入缓冲器相连；每个采样保持电路均连接有SAR模数转换器。本发明可以有效地提升多路时间交织SAR的转换速率，获得更好的版图匹配性。尽可能少的采样保持电路，可以减小采样时间误差引入的非线性失真。
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公开(公告)号：CN111510118A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010379102.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高速比较器，包括四个PMOS管，四个NMOS管，两个第一缓冲器和两个或门、第一模拟信号输入端、第二信号输入端、第一比较结果输出端、第二比较结果输出端以及时钟控制端。当时钟控制端qamp为高电平时，比较器处于复位状态。当时钟控制端qamp从高电平跳变到低电平时，比较器处于比较状态。当比较器完成比较后，比较器进入锁存状态，并保持输出结果不变。本发明的比较器也可以通过增加输入管的尺寸，来获得较小的输入失配电压。本发明的高速比较器充分利用了NMOS管的高特征频率的特性，提高了比较器的转换速度。而且电路的结构简单，适用于高速转换电路中。
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公开(公告)号：CN111431517A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010378270.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03K17/687 , H03K17/04 , H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种内嵌输入缓冲器的超高速自举开关电路，包括输入NMOS管、输入PMOS管、导通开关NMOS管和时钟控制NMOS管；输入端与输入PMOS管的栅极及输入NMOS管的栅极相连；高压源经第一恒流源与输入PMOS管的源极、导通开关NMOS管的栅极以及时钟控制NMOS管的漏极相连接，时钟控制NMOS管的栅极与时钟信号输入端相连接；输入NMOS管的漏极与高压源相连，信号输出端与导通开关NMOS管的漏极相连。本发明利用NMOS源极跟随器和PMOS源极跟随器的直流电压差来实现自举开关的电压抬升，省去了用于抬升开关电压的电容。本发明不仅仅电路结构简单，而且具有高速的工作状态切换速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111510149A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010378268.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种SAR转换器的比较器输入失配电压数字校正装置及算法，包括电容阵列、第一比较器、第二比较器、SAR逻辑电路和转换数值特征检测电路；使用的SAR为带冗余补偿的结构。原有的冗余量被分为两部分。当冗余量较小时，SAR电路正常工作，并且不会触发比较器输入失配的校正；当冗余量超过一定值后，SAR可能工作在非正常状态下。此时通过SAR的转换结果的数值特征来判断比较器的输入失配电压的调整方向。两个比较器的输入失配电压，并不需要都调整到0。只需将两个比较器的输入失配电压调整到同一个数值。本算法并不需要额外的校正时序，有利于减小SAR的时序电路复杂度和提高SAR的转换速率。
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公开(公告)号：CN111431517B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010378270.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03K17/687 , H03K17/04 , H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种内嵌输入缓冲器的超高速自举开关电路，包括输入NMOS管、输入PMOS管、导通开关NMOS管和时钟控制NMOS管；输入端与输入PMOS管的栅极及输入NMOS管的栅极相连；高压源经第一恒流源与输入PMOS管的源极、导通开关NMOS管的栅极以及时钟控制NMOS管的漏极相连接，时钟控制NMOS管的栅极与时钟信号输入端相连接；输入NMOS管的漏极与高压源相连，信号输出端与导通开关NMOS管的漏极相连。本发明利用NMOS源极跟随器和PMOS源极跟随器的直流电压差来实现自举开关的电压抬升，省去了用于抬升开关电压的电容。本发明不仅仅电路结构简单，而且具有高速的工作状态切换速度。
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公开(公告)号：CN111510147A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010378250.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安交通大学 , 西安航天民芯科技有限公司
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开一种多比较器结构SAR比较器失调电压数字校正装置及算法，包括电容阵列，N个比较器，N大于2，SAR逻辑电路和转换数值特征检测电路。使用的SAR为带冗余补偿的结构。原有的冗余量被分为两部分，当冗余量较小时，SAR电路正常工作，并且不会触发比较器输入失配的校正；当冗余量超过一定值后，SAR可能工作在非正常状态下。此时通过SAR的转换结果的数值特征来判断比较器的输入失配电压的调整方向。比较器的输入失配电压，并不需要都调整到0。只需保证第1到N-1比较器的失配电压和第N个比较器相等即可。本算法并不需要额外的校正时序，有利于减小SAR的时序电路复杂度和提高SAR的转换速率。
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公开(公告)号：CN114561614B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210213710.7
申请日：2022-03-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于核反应堆材料技术领域，公开了一种提高钢铁材料在铅或铅铋中抗腐蚀性能的处理方法，选取含有Mn元素和Cr元素的钢铁材料，采用裂变产生的高能快中子作为辐照源，对所述钢铁材料进行辐照，使得所述钢铁材料中的Mn元素和Cr元素向所述钢铁材料的表面扩散形成致密氧化膜，即完成对所述钢铁材料防腐蚀性能的提高。本发明通过辐照增强致密结构氧化层的形成，该氧化层具有较好的保护性，且在辐照环境下具有自修复的特性，为增强钢在铅和铅铋冷却剂快堆中的抗腐蚀性能提出新的解决思路。
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公开(公告)号：CN114561614A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210213710.7
申请日：2022-03-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于核反应堆材料技术领域，公开了一种提高钢铁材料在铅或铅铋中抗腐蚀性能的处理方法，选取含有Mn元素和Cr元素的钢铁材料，采用裂变产生的高能快中子作为辐照源，对所述钢铁材料进行辐照，使得所述钢铁材料中的Mn元素和Cr元素向所述钢铁材料的表面扩散形成致密氧化膜，即完成对所述钢铁材料防腐蚀性能的提高。本发明通过辐照增强致密结构氧化层的形成，该氧化层具有较好的保护性，且在辐照环境下具有自修复的特性，为增强钢在铅和铅铋冷却剂快堆中的抗腐蚀性能提出新的解决思路。
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