空分板翅型膜式主冷液体分布器

    公开(公告)号:CN102650491A

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201210144036.8

    申请日:2012-05-10

    Abstract: 一种空分板翅型膜式主冷液体分布器,包括预分布结构、一级分布结构、二级分布结构、储氧槽、贮氧槽、溢流孔、出液孔和均压孔,由预分布结构和一级分布结构实现对液氧的初分布,由二级分布结构实现对液氧的再分布,在储氧槽上部两侧隔板上沿宽度方向间隔预设距离均匀设置多个溢流孔,所有溢流孔处于同一水平高度,在各个贮氧槽底部一侧开有出液孔,在各个贮氧槽上方一侧开有均压孔;这种结构形式可以保证进入各个蒸发通道的液氧流量均匀,获得蒸发通道内部良好的布膜效果,进而提高主冷凝蒸发器的传热性能,还可以有效改善主冷安全问题。

    空分板翅型膜式主冷液体分布器

    公开(公告)号:CN102650491B

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201210144036.8

    申请日:2012-05-10

    Abstract: 一种空分板翅型膜式主冷液体分布器,包括预分布结构、一级分布结构、二级分布结构、储氧槽、贮氧槽、溢流孔、出液孔和均压孔,由预分布结构和一级分布结构实现对液氧的初分布,由二级分布结构实现对液氧的再分布,在储氧槽上部两侧隔板上沿宽度方向间隔预设距离均匀设置多个溢流孔,所有溢流孔处于同一水平高度,在各个贮氧槽底部一侧开有出液孔,在各个贮氧槽上方一侧开有均压孔;这种结构形式可以保证进入各个蒸发通道的液氧流量均匀,获得蒸发通道内部良好的布膜效果,进而提高主冷凝蒸发器的传热性能,还可以有效改善主冷安全问题。

    一种除去金属硅中的磷杂质的方法

    公开(公告)号:CN102145892A

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:CN201110115885.6

    申请日:2011-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种除去金属硅中的磷杂质的方法,如下:第一步、将金属硅置于感应炉中,在氮气气氛下于1460~1500℃熔化;第二步、将体积比为1.2:1~1:1.5的二氧化硅和碳酸锂于1440~1460℃在另一个坩埚中熔化;第三步、将第二步中熔化好的二氧化硅-碳酸锂混合物直接倒入第一步的硅液中,30分钟后停炉;冷却后,硅与渣自然分离;第四步、将第三步中将得到的硅破碎,粉碎至60~90微米;第五步、用1:6的HF酸与HCl对第四步中得到的破碎硅进行浸泡15~30小时,一次可有效除磷85%以上,同时其它金属杂质含量低于200ppm;第六步、重复步骤一~五,进行二次造渣和酸洗;第七步、将得到的硅进行重熔和定向凝固,金属硅中杂质磷含量可降低到0.1ppm以下,其他金属含量总和小于0.1ppm。

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