公开(公告)号：CN118159005A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410130256.8

申请日：2024-01-31

Applicant: 西安交通大学 ,  国网智能电网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司南京供电分公司

Inventor： 孟庆之 ,  鞠登峰 ,  林启敬 ,  景蔚萱 ,  王泽林 ,  仙丹 ,  毛琦 ,  张明 ,  梁先锋 ,  王璞

IPC: H05K9/00

Abstract: 一种屏蔽频率可调节的电磁屏蔽柔性薄膜，包括柔性薄膜基底，所述柔性薄膜基底上表面设置有柔性半导体层，柔性半导体层的上表面设置有金属电极；所述柔性半导体层由掺杂材料通过离子注入或热扩散方法掺杂融合进柔性半导体材料构成，掺杂材料采用能够改变柔性半导体材料电导率的元素，包括氮、磷、硼；本发明通过偏压改变电磁屏蔽柔性薄膜的电阻率进而调节薄膜的屏蔽频率，使得柔性半导体层能够有选择性地保留特定频段的电磁波并屏蔽其余频段的电磁波，解决了常规金属磁屏蔽材料不具有屏蔽频率选择性的问题，质量轻，灵敏度高，适用范围广，成本低的优点。

公开(公告)号：CN115808240A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211494526.0

申请日：2022-11-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 孟庆之 ,  林启敬 ,  景蔚萱 ,  王杨涛 ,  王泽林 ,  赵娜 ,  姚坤 ,  张福政 ,  蒋庄德

IPC: G01J1/42 ,  H01L25/16 ,  H01L23/66

Abstract: 本发明公开了一种四叉树结构阵列的场效应晶体管太赫兹探测器芯片，包括芯片基底和场效应晶体管太赫兹探测器阵列；场效应晶体管太赫兹探测器阵列采用半导体工艺制备在芯片基底表面，并且在芯片基底上以四叉树结构阵列进行排布；场效应晶体管太赫兹探测器由场效应晶体管和太赫兹天线组成，越靠近场效应晶体管太赫兹探测器阵列中心位置的太赫兹天线特征尺寸越小，中心频率越高；本发明将不同太赫兹频段的场效应晶体管太赫兹探测器集成在一个芯片上，能够实现宽频谱太赫兹波的探测，解决目前场效应晶体管太赫兹探测器探测频谱窄的问题，并且四叉树结构的阵列排布方式可以有效减小芯片的面积，从而降低芯片成本。