一种A2B2O7型高熵氧化物陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117510206A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311462163.7

    申请日:2023-11-06

    Abstract: 本发明涉及一种A2B2O7型高熵氧化物陶瓷及其制备方法和应用,属于核废物固化技术领域。本发明A2B2O7型高熵氧化物陶瓷材料为(Gd0.2Sm0.2Dy0.2Er0.2Yb0.2)2Ti2O7高熵陶瓷基材料,其中,A位点金属元素Gd、Sm、Dy、Er、Yb为等原子比。采用高能球磨及放电等离子烧结法制备。所制备的(Gd0.2Sm0.2Dy0.2Er0.2Yb0.2)2Ti2O7高熵陶瓷材料为稳定的单相组织、成分分布均匀,具有高的致密度、良好的力学性能,优异的耐辐照性能,可以满足高放废物固化材料的使用需求。

    一种A2B2O7型高熵氧化物陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117510206B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202311462163.7

    申请日:2023-11-06

    Abstract: 本发明涉及一种A2B2O7型高熵氧化物陶瓷及其制备方法和应用,属于核废物固化技术领域。本发明A2B2O7型高熵氧化物陶瓷材料为(Gd0.2Sm0.2Dy0.2Er0.2Yb0.2)2Ti2O7高熵陶瓷基材料,其中,A位点金属元素Gd、Sm、Dy、Er、Yb为等原子比。采用高能球磨及放电等离子烧结法制备。所制备的(Gd0.2Sm0.2Dy0.2Er0.2Yb0.2)2Ti2O7高熵陶瓷材料为稳定的单相组织、成分分布均匀,具有高的致密度、良好的力学性能,优异的耐辐照性能,可以满足高放废物固化材料的使用需求。

    乏燃料屏蔽材料用高熵碳化物陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN117049880A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311019360.1

    申请日:2023-08-14

    Abstract: 本发明属于中子和γ辐射屏蔽材料技术领域,具体涉及乏燃料屏蔽材料用高熵碳化物陶瓷及其制备方法,本发明高熵碳化物陶瓷材料为(HfNbZrTaW)C5‑xZrB2高熵陶瓷基材料,其中,(HfNbZrTaW)C5中金属元素为等原子比为,ZrB2质量百分比为0~25w%。采用高能球磨及放电等离子烧结法,制备所设计(HfNbZrTaW)C5‑xZrB2高熵陶瓷基材料。所制备(HfNbZrTaW)C5高熵陶瓷材料为稳定的单相组织、成分分布均匀,添加ZrB2后的高熵基陶瓷不仅具有屏蔽中子和γ射线的能力,还具有高的热导率、良好的力学性能,能满足乏燃料屏蔽的使用需求。

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