公开(公告)号：CN103435824B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201310306940.9

申请日：2013-07-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李本强 ,  常定定 ,  江新兵 ,  于伟 ,  罗拯东

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K3/08 ,  G01R27/26

Abstract: 聚偏氟乙烯‑三氟乙烯/银纳米粒子复合薄膜制备和测试，制备采用有机相原位合成银纳米粒子，在此基础上配制聚偏氟乙烯‑三氟乙烯胶体溶液，通过旋涂法制备薄膜，然后进行热处理退火获得复合薄膜；测试借助铜网为掩膜板，溅射沉积薄膜的上电极，从而通过探针台进行复合薄膜的电特性测试，连接阻抗仪测试其介电特性，本发明制备效率较高，大大提高了分散性和相容性，工艺简单，操作方便，成本低；测试方法操作简单，可以实现纳米级薄膜的准确测试。

公开(公告)号：CN116666494A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310639555.X

申请日：2023-05-31

Applicant: 西安交通大学 ,  西安电子科技大学 ,  西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 张易军 ,  王瑞康 ,  韩根全 ,  王虹 ,  罗拯东 ,  任巍 ,  叶作光

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供的一种两步法异质外延生长氧化镓薄膜及其制备方法,包括如下步骤：步骤1，利用等离子体增强原子层沉积法在衬底上生长氧化镓薄膜，得到氧化镓薄膜籽晶层；步骤2，在得到的氧化镓薄膜籽晶层上同质外延氧化镓薄膜主体层，最终得到异质外延氧化镓薄膜；本发明解决了目前氧化镓薄膜制备方法存在的生长速率缓慢、制备厚度在100nm以上外延片成本高的难题。

公开(公告)号：CN103435824A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310306940.9

申请日：2013-07-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李本强 ,  常定定 ,  江新兵 ,  于伟 ,  罗拯东

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K3/08 ,  G01R27/26

Abstract: 聚偏氟乙烯-三氟乙烯/银纳米粒子复合薄膜制备和测试，制备采用有机相原位合成银纳米粒子，在此基础上配制聚偏氟乙烯-三氟乙烯胶体溶液，通过旋涂法制备薄膜，然后进行热处理退火获得复合薄膜；测试借助铜网为掩膜板，溅射沉积薄膜的上电极，从而通过探针台进行复合薄膜的电特性测试，连接阻抗仪测试其介电特性，本发明制备效率较高，大大提高了分散性和相容性，工艺简单，操作方便，成本低；测试方法操作简单，可以实现纳米级薄膜的准确测试。