公开(公告)号：CN117604485A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311582164.5

申请日：2023-11-24

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 徐婧谨 ,  王安立 ,  张亮 ,  韩晓刚 ,  沈飞 ,  赵斌 ,  王朋举

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/50 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种在电解铜箔用阴极辊表面沉积DLC的改性薄膜及其制备方法，基于等离子增强化学气相沉积(PECVD)的方法，获得了在电解铜箔用阴极辊表面沉积DLC的改性薄膜，改性薄膜包括附着在阴极辊钛金属表面的Ti‑C渐变层和Ti‑C渐变层表面的DLC层；本发明制备的改性薄膜隔绝了阴极辊钛金属表面与氧气的接触，减缓乃至消除了阴极辊表面氧化斑的生成，延长了阴极辊的使用寿命，且对阴极辊本身并不造成任何破坏，具有操作简单，成本低廉，设备可长期稳定有效运行的特点。