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公开(公告)号:CN114861510B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202210332806.5
申请日:2022-03-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4的粒子全方向能谱入射方法,步骤如下:通过对球面源的均匀抽样和射线方向判定函数,确定全方向入射源的位置和方向分布;通过对需要模拟空间轨道粒子能谱的概率分布函数因变量进行均匀抽样,再映射到对应的能谱值,确定源的能量分布;通过每个粒子输运过程的step位置信息,判断当前粒子是否打到样品上,确定有效粒子数。本方法基于Geant4实现了粒子的全方向能谱入射模拟,为开展空地辐射环境差异研究提供理论支撑。
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公开(公告)号:CN114861510A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210332806.5
申请日:2022-03-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4的粒子全方向能谱入射方法,步骤如下:通过对球面源的均匀抽样和射线方向判定函数,确定全方向入射源的位置和方向分布;通过对需要模拟空间轨道粒子能谱的概率分布函数因变量进行均匀抽样,再映射到对应的能谱值,确定源的能量分布;通过每个粒子输运过程的step位置信息,判断当前粒子是否打到样品上,确定有效粒子数。本方法基于Geant4实现了粒子的全方向能谱入射模拟,为开展空地辐射环境差异研究提供理论支撑。
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公开(公告)号:CN115563784A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211247576.9
申请日:2022-10-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4及TCAD软件的碳化硅快中子探测器模拟方法,步骤如下:1、利用Geant4软件进行模拟仿真,根据单能中子转换效率确定转换层最优厚度;2、在最优转换层厚度条件下,模拟获取混合能中子源穿过转换层产生的质子进入探测器的能量、角度信息;3、根据计算的质子能量角度信息进行抽样;4、利用SRIM软件获取质子在碳化硅材料中的射程和传能线密度;5、在TCAD软件中,对半导体器件进行建模及结构优化,获取基本电学特性;6、根据抽样结果和优化的探测器结构,在TCAD软件中进行模拟,获取粒子脉冲电流、电荷收集等数据,实现了快中子探测器的优化及Gean4和TCAD的耦合模拟。
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公开(公告)号:CN116996032A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202310985979.1
申请日:2023-08-07
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法,该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三级同相比例放大电路以及第四级反相比例放大电路,4H‑碳化硅探测器将中子信号转换为电流脉冲信号,传输至电流脉冲型前端电路的Iin端子,电流脉冲型前端电路将高带宽电流脉冲信号做电流‑电压变换及电压放大,在Vout端子输出,实现信号的极性反转及比例放大,使信号能够远距离传输且避免脉冲信号脉宽过大造成的堆积,且在较大范围的输入电流脉冲信号情况下可以线性不失真的放大信号,满足在中子的中高注量率场景下的探测需求。
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