-
公开(公告)号：CN113819545B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111048448.7
申请日：2021-09-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种墙体结构，该结构包括可控辐射层、温控变色相变墙体，所述可控辐射层为双层天空辐射冷却材料，所述双层天空辐射材料中间填充有相变材料，所述温控变色相变墙体为内部填充有相变材料的承重墙体，所述可控辐射层及温控变色相变墙体之间为空气隙，所述温控变色相变墙体内为相变材料与温控变色粉末的混合物。所述墙体设有检测室外温度的温度传感器。所述可控辐射层的上端、下端及温控变色相变墙体的上端和下端均开有通风口，每个风口均设有风口开合装置。本发明适用于室内温度控制、通风系统设计与建造，有效缓解了建筑节能领域的痛点问题，有很好的推广应用前景。
-
公开(公告)号：CN119512297A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411636357.9
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种突发模式激光器偏置电流源及其控制方法，包括低尾电流CML电路U1和突发响应加速电路U2；低尾电流CML电路U1输入级包括CML电路A1，输出级包括PMOS管阵列Q1，CML电路A1的输入端连接差分使能输入，CML电路A1的输出端与PMOS管阵列Q1的栅极和突发响应加速电路U2连接，PMOS管阵列Q1的漏极为激光器偏置电流输出端，CML电路A1设置偏置电流调节端；突发响应加速电路U2包括CML至CMOS逻辑转换电路A2与电容投切电路，CML至CMOS逻辑转换电路A2的输入端与差分使能输入连接，CML至CMOS逻辑转换电路A2的输出端与电容投切电路的输入端连接，电容投切电路的输出端在CML电路A1的输出端与PMOS管阵列Q1的栅极之间连接，电容投切电路设置接地与接电源开关状态。
-
公开(公告)号：CN119561503A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411636354.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反相器结构的电压放大电路及其控制方法，属于集成电路技术领域，电压放大电路包括输入级和负载级，输入级包括一对共源极NMOS管和PMOS管组成的输入级反相器，负载级包括另一对共源极NMOS管和PMOS管组成的负载级反相器，输入级反相器的输入端连接电源电压，输入级反相器的输出端与负载级反相器的输入端相连，负载级反相器的输入端与输出端之间连接电阻。能在输出电压摆幅较大的情况下同时拥有较高的线性度，避免了传统gm‑gm结构输入级MOS管进入线性区而负载级MOS管仍处在饱和区带来的跨导不同的影响，能够提高对输出摆幅和线性度都有较高要求的高速电路的性能，且具有结构简单、易于实现的优点，同时节约了时间成本。
-
公开(公告)号：CN113819545A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111048448.7
申请日：2021-09-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种墙体结构，该结构包括可控辐射层、温控变色相变墙体，所述可控辐射层为双层天空辐射冷却材料，所述双层天空辐射材料中间填充有相变材料，所述温控变色相变墙体为内部填充有相变材料的承重墙体，所述可控辐射层及温控变色相变墙体之间为空气隙，所述温控变色相变墙体内为相变材料与温控变色粉末的混合物。所述墙体设有检测室外温度的温度传感器。所述可控辐射层的上端、下端及温控变色相变墙体的上端和下端均开有通风口，每个风口均设有风口开合装置。本发明适用于室内温度控制、通风系统设计与建造，有效缓解了建筑节能领域的痛点问题，有很好的推广应用前景。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
