公开(公告)号：CN116413562A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310474752.0

申请日：2023-04-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  王海骅 ,  马早军 ,  闫飞飞 ,  杨庆收 ,  张哲维

IPC: G01R31/12

Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅功率模块内部局部放电定位系统及方法，包括高压碳化硅功率模块、超声传感系统、信号采集处理系统、高频电流传感系统和上位机；超声传感系统包括超声传感器组和基板，超声传感器组包括3个超声传感器；信号采集处理系统包括第一信号调理电路、第二信号调理电路、FPGA采集板卡、DSP信号处理板卡；本发明使用超声波定位，有效地避免了受到高压碳化硅功率模块所产生的电磁干扰的影响，同时结合算法，可以有效地提升精度，进而实现对放电缺陷进行高精度近场定位，体积小巧，有助于高压碳化硅功率模块的封装绝缘设计，可以应用在高压领域。

公开(公告)号：CN119375653A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411552393.7

申请日：2024-11-01

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王来利 ,  卢晓辉 ,  杨庆收 ,  杨奉涛 ,  汪岩

IPC: G01R31/26 ,  G01R29/02

Abstract: 本发明公开了一种基于延迟时间的功率半导体器件在线结温检测方法及系统，对延迟时间进行边沿采集，然后合成延迟时间窄脉冲信号；基于延迟时间窄脉冲信号，在延迟时间内和延迟时间外以不同的积分速度输出积分输出信号；对积分输出信号进行比较，生成脉冲宽度为延迟时间窄脉冲信号固定倍数的输出宽脉冲信号，用于功率半导体器件在线结温检测。本发明能够实时检测功率半导体器件的结温，为功率半导体器件的热管理提供依据，提升功率半导体器件的可靠性，为电力电子装置的可靠运行保驾护航。