一种新型封装结构的场发射显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102208319A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201010154975.1

    申请日:2010-03-30

    Abstract: 本发明提供了一种新型封装结构的场发射显示器,其中:包括真空腔壳体,该壳体的真空内腔内设置场发射显示器的显示功能模块和装配定位单元,显示功能模块包括各组电极分别对应组构成的电极板,场发射显示器的各电极板分别装配在所述装配定位单元上,场发射显示器的各电极板与所述真空腔壳体前端面、后端面的内壁之间留有承压空隙,场发射显示器的各电极板之间留有绝缘空隙。本发明的新型封装结构的场发射显示器不需要对阴极与阳极(或栅极与阳极)之间设置绝缘隔离的支撑体,降低了显示器的制造难度和成本。本发明还提供了一种新型封装结构的场发射显示器的制造方法,大大降低了显示器的制造成本并节省了制造时间。

    一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN1556548A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN200410025812.8

    申请日:2004-01-08

    Abstract: 本发明公开了一种用于场发射显示器的大面积碳纳米管薄膜阴极的制备方法,包括:衬底和碳纳米管的预处理、阴极导电图形的形成、涂敷粘结剂、碳纳米管气溶胶(或其他形式的分散相)的形成与喷射、碳纳米管在衬底的沉积、碳纳米管薄膜的干燥与烧结等。调节碳纳米管在分散相中的含量和沉积时间可以改变碳纳米管薄膜的沉积密度;改变静电场的分布可以改变薄膜的沉积形状;采用移动喷嘴系统或多喷嘴系统,可以制造超大屏幕碳纳米管场发射平板显示器的阴极。采用本发明所提供的制造方法具有操作简单、成本低廉、可以在开放环境下制造的优点,所制得的碳纳米管薄膜具有大面积均匀、排列良好、定域简单的优点,具有优良的场发射特性。

    一种提高印刷碳纳米管薄膜场发射稳定性的阴极制备方法

    公开(公告)号:CN100416740C

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200510041679.X

    申请日:2005-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种提高印刷碳纳米管薄膜场发射稳定性的阴极制备方法,其特征在于,该方法对银浆印刷层和碳纳米管印刷层进行共烧结处理来增加印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的接触面积,进而改善印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能,并使采用共烧结阴极制造的场发射显示器在高亮度下的发光稳定性及寿命较普通阴极器件显著提高。

    一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN1293649C

    公开(公告)日:2007-01-03

    申请号:CN200410025812.8

    申请日:2004-01-08

    Abstract: 本发明公开了一种用于场发射显示器的大面积碳纳米管薄膜阴极的制备方法,包括:衬底和碳纳米管的预处理、阴极导电图形的形成、涂敷粘结剂、碳纳米管气溶胶(或其他形式的分散相)的形成与喷射、碳纳米管在衬底的沉积、碳纳米管薄膜的干燥与烧结等。调节碳纳米管在分散相中的含量和沉积时间可以改变碳纳米管薄膜的沉积密度;改变静电场的分布可以改变薄膜的沉积形状;采用移动喷嘴系统或多喷嘴系统,可以制造超大屏幕碳纳米管场发射平板显示器的阴极。采用本发明所提供的制造方法具有操作简单、成本低廉、可以在开放环境下制造的优点,所制得的碳纳米管薄膜具有大面积均匀、排列良好、定域简单的优点,具有优良的场发射特性。

    一种提高印刷碳纳米管薄膜场发射稳定性的阴极制备方法

    公开(公告)号:CN1670886A

    公开(公告)日:2005-09-21

    申请号:CN200510041679.X

    申请日:2005-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种提高印刷碳纳米管薄膜场发射稳定性的阴极制备方法,其特征在于,该方法对银浆印刷层和碳纳米管印刷层进行共烧结处理来增加印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的接触面积,进而改善印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能,并使采用共烧结阴极制造的场发射显示器在高亮度下的发光稳定性及寿命较普通阴极器件显著提高。

    采用单制栅极结构和银浆粘贴方法制作的场致发射显示器

    公开(公告)号:CN1267952C

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200410026103.1

    申请日:2004-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种采用单独制作栅极(单制栅极)结构和银浆粘贴方法制作的场致发射显示器,它包括阳极面板、阴极面板、四周玻璃围框所构成的密封真空腔,阳极面板上有氧化铟锡透明导电薄膜和荧光粉层;四周玻璃围框上设置有排气孔;其特点是,密封真空腔内还设置有隔离支柱和单制栅极结构,阴极面板上有利用银浆粘贴固定的阴极层。本发明制备简单,提高了栅极和碳纳米管阴极之间的绝缘度;本发明采用阴极板银浆粘贴固定技术,既实现了阴极硅片的装配和固定,也避免了器件高温烧结过程中阴极玻璃面板(或硅片)的碎裂,实现了整体器件的完好封装,同时,它不需要占据器件内部使用空间,减少了安装固定阴极的元件。

    一种新型封装结构的场发射显示器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102208319B

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201010154975.1

    申请日:2010-03-30

    Abstract: 本发明提供了一种新型封装结构的场发射显示器,其中:包括真空腔壳体,该壳体的真空内腔内设置场发射显示器的显示功能模块和装配定位单元,显示功能模块包括各组电极分别对应组构成的电极板,场发射显示器的各电极板分别装配在所述装配定位单元上,场发射显示器的各电极板与所述真空腔壳体前端面、后端面的内壁之间留有承压空隙,场发射显示器的各电极板之间留有绝缘空隙。本发明的新型封装结构的场发射显示器不需要对阴极与阳极(或栅极与阳极)之间设置绝缘隔离的支撑体,降低了显示器的制造难度和成本。本发明还提供了一种新型封装结构的场发射显示器的制造方法,大大降低了显示器的制造成本并节省了制造时间。

    采用单制栅级结构和银浆粘贴方法制作的场致发射显示器

    公开(公告)号:CN1571108A

    公开(公告)日:2005-01-26

    申请号:CN200410026103.1

    申请日:2004-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种采用单独制作栅极(单制栅极)结构和银浆粘贴方法制作的场致发射显示器,它包括阳极面板、阴极面板、四周玻璃围框所构成的密封真空腔,阳极面板上有氧化铟锡透明导电薄膜和荧光粉层;四周玻璃围框上设置有排气孔;其特点是,密封真空腔内还设置有隔离支柱和单制栅极结构,阴极面板上有利用银浆粘贴固定的阴极层。本发明制备简单,提高了栅极和碳纳米管阴极之间的绝缘度;本发明采用阴极板银浆粘贴固定技术,既实现了阴极硅片的装配和固定,也避免了器件高温烧结过程中阴极玻璃面板(或硅片)的碎裂,实现了整体器件的完好封装,同时,它不需要占据器件内部使用空间,减少了安装固定阴极的元件。

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