公开(公告)号：CN114965598B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202210480855.3

申请日：2022-05-05

Applicant: 西安交通大学 ,  深圳市天地通电子有限公司

Inventor： 王海容 ,  芶杨蕴藉 ,  弓瑨 ,  唐闫焜 ,  李剑 ,  李磊 ,  张铭

IPC: G01N27/12 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种掺锡氧化镍贵金属修饰的MEMS甲醛传感器及制备方法，在Si基底正反面制备双面氧化硅层、高频Si3N4正应力层、低频Si3N4负应力层、高频Si3N4正应力层、多孔Si3N4低热导率绝缘层；再制备出包括测温电阻、加热电极和敏感叉指电极对，沉积Cr‑Au薄膜制备敏感层图案、掺锡NiO敏感层薄膜；溅射Sn薄膜，Pt和Pd混合靶材贵金属薄膜；制备背部掩蔽层SiO2‑Si3N4；形成绝热槽；通过划片得到气体传感器芯片。通过掺锡氧化镍表面制备贵金属复合颗粒，增加薄膜的比表面积，形成P‑N异质结，提升了甲醛传感器的力学性能，具有更低的热传导系数和更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN114965598A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210480855.3

申请日：2022-05-05

Applicant: 西安交通大学 ,  深圳市天地通电子有限公司

Inventor： 王海容 ,  芶杨蕴藉 ,  弓瑨 ,  唐闫焜 ,  李剑 ,  李磊 ,  张铭

IPC: G01N27/12 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种掺锡氧化镍贵金属修饰的MEMS甲醛传感器及制备方法，在Si基底正反面制备双面氧化硅层、高频Si3N4正应力层、低频Si3N4负应力层、高频Si3N4正应力层、多孔Si3N4低热导率绝缘层；再制备出包括测温电阻、加热电极和敏感叉指电极对，沉积Cr‑Au薄膜制备敏感层图案、掺锡NiO敏感层薄膜；溅射Sn薄膜，Pt和Pd混合靶材贵金属薄膜；制备背部掩蔽层SiO2‑Si3N4；形成绝热槽；通过划片得到气体传感器芯片。通过掺锡氧化镍表面制备贵金属复合颗粒，增加薄膜的比表面积，形成P‑N异质结，提升了甲醛传感器的力学性能，具有更低的热传导系数和更高的灵敏度。

公开(公告)号：CN116534788A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310249668.9

申请日：2023-03-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王海容 ,  弓瑨 ,  王朝晖 ,  王瑞浩

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种基于悬膜结构MEMS桥式钯合金氢气传感芯片及制备方法，传感芯片从下到上依次为掩蔽层、硅基底、绝缘层、气敏材料、测试电极与加热电极和保护层。首先在硅基底上制备正面绝缘层和背面掩蔽层；其次在绝缘层上依次溅射沉积电桥结构的钯合金气敏材料、测试电极与加热电极及其引线盘和保护层；最后通过刻蚀背面掩蔽层和硅基底形成悬膜结构。本发明基于钯合金材料构建惠斯通电桥，在保证薄膜强度的基础上提高响应恢复速度，具有灵敏度高、选择性好，输出信号稳定的特点。

公开(公告)号：CN115472941A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211109884.5

申请日：2022-09-13

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王朝晖 ,  弓瑨 ,  陈敏 ,  王海容 ,  王瑞浩 ,  李剑

IPC: H01M10/48 ,  G01D21/02 ,  G01N27/14

Abstract: 本发明公开了一种单体锂电池植入式氢气检测装置及方法，包括安装在微型印刷电路板上的微型钯合金薄膜氢气传感器和压力传感器构成的氢气测头，氢气测头植入单体锂电池外壳内部上端盖；与电池内部气体接触，利用较小体积的氢气测头准确测量出单体锂电池内部的温度、氢气浓度和压力值，通过电池外部接线柱连接至信号处理与输出电路，对微型钯合金薄膜氢气传感器测得的氢气浓度值进行温度、压力补偿，消除因单体锂电池内部温度和压力变化引起的氢气传感器基线漂移和响应度变化；将获取到的单体锂电池内部温度、压力、氢气浓度值传递至BMS系统，实时监控单体锂电池的氢气浓度，并提高电池内部氢气浓度的检测精度。