公开(公告)号：CN108417669B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201810241422.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张宏 ,  宋爽 ,  徐晓宙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/10

Abstract: 一种用于金刚线切割多晶硅太阳能电池片的制绒方法，在金刚线切割多晶硅片表面涂覆光刻胶，形成光刻胶掩膜层；曝光显影形成掩膜图案；对光刻胶掩膜层表面进行表面处理，使得25℃下光刻胶掩膜层表面接触角降低到15°以下；将金刚线切割多晶硅片形成有光刻胶掩膜层的一面朝下，放置在滚轮上，滚轮放置在酸性刻蚀液中，对硅片进行单面刻蚀，将刻蚀后的金刚线切割多晶硅片通过高温烧结炉去除表面剩余的光刻胶，烧结后的金刚线切割多晶硅片经过酸洗、碱洗以及水洗，得到绒面结构。本发明改进了目前湿法制绒需要硅片整体浸入酸溶液的工艺流程，特别改善了掩膜湿法刻蚀的时候硅片背面必须要保护的缺点，大大的节省了成本和提高了生产效率。

公开(公告)号：CN108417669A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810241422.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张宏 ,  宋爽 ,  徐晓宙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/10

Abstract: 一种用于金刚线切割多晶硅太阳能电池片的制绒方法，在金刚线切割多晶硅片表面涂覆光刻胶，形成光刻胶掩膜层；曝光显影形成掩膜图案；对光刻胶掩膜层表面进行表面处理，使得25℃下光刻胶掩膜层表面接触角降低到15°以下；将金刚线切割多晶硅片形成有光刻胶掩膜层的一面朝下，放置在滚轮上，滚轮放置在酸性刻蚀液中，对硅片进行单面刻蚀，将刻蚀后的金刚线切割多晶硅片通过高温烧结炉去除表面剩余的光刻胶，烧结后的金刚线切割多晶硅片经过酸洗、碱洗以及水洗，得到绒面结构。本发明改进了目前湿法制绒需要硅片整体浸入酸溶液的工艺流程，特别改善了掩膜湿法刻蚀的时候硅片背面必须要保护的缺点，大大的节省了成本和提高了生产效率。