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公开(公告)号：CN114725043A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210344054.4
申请日：2022-04-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC模块及制作工艺，其SiC模块包括外壳以及自下而上叠放的金属底板、DBC板、PCB驱动板和碳化硅元件，所述金属底板、DBC板、PCB驱动板和碳化硅元件均设置于外壳内部；所述DBC板包括两个铜层和AlN层，所述AlN层位于两个铜层之间，所述碳化硅元件、铜层和PCB驱动板之间电气连接，所述DBC板上设有多个功率端子。本发明通过调整模块整体的布局可以极大减小模块整体的寄生电感，而通过替换DBC板中的陶瓷材料，增强了模块整体的散热能力。
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公开(公告)号：CN114629357A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210278277.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多DAB模块ISOP连接方式下的故障冗余处理方法，该方法针对现有ISOP连接下的控制方案无法对系统中部分模块的故障进行有效的冗余处理的不足，通过控制信号在额外设计的故障处理器与各个DAB模块控制器之间的传递，结合相应的辅助切除装置，针对故障模块与非故障模块进行不同的控制操作，使得系统可以在多达三分之一个DAB子模块发生输入侧短路或输出侧开路故障时保持正常工作，同时及时保护了故障模块，使其不会继续运行工作而产生更进一步的损坏。该故障冗余处理方法快速有效、流程简单、辅助切除装置元器件较少、辅助切除装置损耗较小，可应用于使用ISOP连接方式的高功率等级DAB型电力电子变换器中。
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公开(公告)号：CN116169129A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310158995.3
申请日：2023-02-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 驱动回路集成共模电感的多芯片并联功率模块，包括基板、SiC MOSFET芯片、微型共模电感、功率端子和驱动端子；功率端子设置在基板的中心对称轴处，基板上下两部分各设置有若干并联的SiC MOSFET芯片，每个SiC MOSFET芯片的驱动回路中都集成有微型共模电感，微型共模电感连接有驱动端子。本发明驱动回路集成共模电感抑制串扰电压的多芯片并联功率模块，将耦合系数极大且漏感极小的小型共模电感集成到每一个并联SiC MOSFET的驱动回路中，以此将功率回路中不对称因素引起的不平衡功率源极感应电压与驱动回路隔离开来，抑制并联SiC MOSFET中串扰电压中的差模成分，降低最大的串扰电压，避免出现误导通。
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公开(公告)号：CN114800040B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210454141.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: B23Q17/09
Abstract: 工艺‑状态数据关联的刀具磨损监测方法及系统。数控切削加工过程中经常需要多把刀具参与切削任务，机床执行换刀后传感器监测到的时间序列信号难以与对应刀具相匹配。提出通过同步采集机床工艺数据与状态数据并进行关联映射方法，解决海量时间维度机床状态信息与刀具名称等工艺信息割裂问题。基于主轴电流信号有效值将小波包敏感频带能量特征与经EMD分解后的基本模式分量时域特征作为反映刀具磨损演化的故障特征，将多个特征融合为单一监测指标来表征刀具磨损演化过程。在磨损失效阈值选择上，将零件加工精度要求与失效阈值相关联来精准制定。本发明基于工艺数据‑状态数据关联信息诊断刀具磨损演化程度，提高了通过监测特征在线评估刀具磨损程度的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115922442A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211669296.7
申请日：2022-12-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: B23Q17/09
Abstract: 基于主轴振动信号的刀具磨破损实时监控方法及相关装置，包括：同步采集主轴振动及数控系统内部数据；在振动数据降噪基础上进行功率谱分析得到反映刀具磨损的功率谱频带能量指标和反映刀具破损的无量纲监测指标；对指标进行融合得到反映刀具状态的综合监测指标；提出了设定刀具磨损及破损阈值的有效方法；一旦综合监测指标超过失效阈值，通过材料去除率增量辅助判断刀具是否失效，进而在消除工况参数切换瞬间产生的误报警同时准确识别刀具状态。本发明仅通过单只外置三向加速度传感器及数控系统内部数据即可实现对刀具磨损与刀具破损的实时监测，提出面向单台机床与柔性生产线的工业可接受刀具状态监测系统，为工业应用提供了切实可行的解决方案。
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公开(公告)号：CN114267668A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111584739.8
申请日：2021-12-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种基于均热板的SiC‑MMC子模块，包括均热板、功率基板、驱动基板、驱动端子、功率端子以及SiC芯片，其中，功率基板及驱动基板均焊接于均热板上，功率端子及SiC芯片焊接于功率基板上，驱动端子焊接于驱动基板上，该模块的热性能优异，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN114800040A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210454141.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: B23Q17/09
Abstract: 工艺‑状态数据关联的刀具磨损监测方法及系统。数控切削加工过程中经常需要多把刀具参与切削任务，机床执行换刀后传感器监测到的时间序列信号难以与对应刀具相匹配。提出通过同步采集机床工艺数据与状态数据并进行关联映射方法，解决海量时间维度机床状态信息与刀具名称等工艺信息割裂问题。基于主轴电流信号有效值将小波包敏感频带能量特征与经EMD分解后的基本模式分量时域特征作为反映刀具磨损演化的故障特征，将多个特征融合为单一监测指标来表征刀具磨损演化过程。在磨损失效阈值选择上，将零件加工精度要求与失效阈值相关联来精准制定。本发明基于工艺数据‑状态数据关联信息诊断刀具磨损演化程度，提高了通过监测特征在线评估刀具磨损程度的可靠性。
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公开(公告)号：CN114695295A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210297068.5
申请日：2022-03-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装领域，尤其涉及一种基于SiC MOSFET的1000A大容量半桥功率模块及制作工艺，其功率模块包括外壳、铜基板、功率母排和三块DBC子单元，所述DBC子单元为半桥拓扑；所述DBC子单元包括DBC基板和至多十二个SiCMOSFET芯片，多个所述SiCMOSFET芯片对称并联设置于DBC基板上，所述功率母排与DBC基板连接；所述DBC基板上设有导电柱，所述导电柱用于连接外接驱动信号端子。本发明优化了现有技术中存在的SiC器件多芯片并联使用时电流分配不均的问题，降低了模块的寄生电感，提高散热能力，同时兼容传统的键合线工艺和焊接工艺，适宜于在工业生产中推广应用，获得的产品额定电流为1000A，实现了半桥功率模块电流容量的突破。
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公开(公告)号：CN114695290A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210297069.X
申请日：2022-03-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/49 , H01L25/07 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，包括DBC基板、连接节点、对称设置于DBC基板上的上半桥臂和下半桥臂，所述DBC基板包括陶瓷层和两层导电层，所述陶瓷层设置于两层导电层之间；所述上半桥臂和下半桥臂均包括对称且并联设置的六枚SiC MOSFET芯片，在上半桥臂中，所述SiC MOSFET芯片的漏极与DC+节点连接，所述SiC MOSFET芯片的功率源极与AC节点连接，所述SiC MOSFET芯片的驱动源极与第一源极节点连接，所述SiC MOSFET芯片的栅极与第一栅极节点连接。本发明通过调整源极键合线参数以及布局的对称性，优化了传统功率模块中多芯片并联使用中存在的电流分配不均问题。
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