-
公开(公告)号：CN118495955A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410540709.4
申请日：2024-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/565 , C04B41/83
Abstract: 本发明公开了一种SiC耐压壳体及其制备方法和应用，属于陶瓷耐压构件技术领域。本发明以β‑SiC粉体、硅粉、稀土元素氧化物以及金刚石粉体为原料，将上述原料粉末成型后，依次通过真空烧结和压力烧结，获得碳化硅壳体预制体，在碳化硅壳体预制体表面涂覆高分子材料后，获得SiC耐压壳体。本发明将反应烧结与压力烧结工艺结合，通过组分设计抑制烧结过程中β‑SiC的相转变，并在碳化硅耐压预制体表面涂覆高分子，降低SiC的缺陷敏感度，提升SiC的裂纹抗力，最终获得具有高性能碳化硅耐压壳体。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
