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公开(公告)号：CN119463866A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411166833.5
申请日：2024-08-23
Applicant: 西南科技大学 , 绵阳锌芯钛晶科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种原位包覆钙钛矿前驱体制备铯铅溴量子点的方法。所述方法是将制备铯铅溴量子点的前驱体CsBr和PbBr2按比例混合溶解于蒸馏水中，然后加入含有氨水的乙醇中，再将正硅酸乙酯和防烧结剂依次加入上述溶液中。待反应完成，将所得混合液浓缩和干燥，得到SiO2原位包覆的量子点前驱体粉末。最后将上述前驱体粉末在马弗炉中高温处理，冷却后去除防烧结剂获得稳定的SiO2原位包覆铯铅溴钙钛矿量子点。该方法操作简便，不使用苯类、二甲基亚砜或N,N‑二甲基甲酰胺等有毒有机试剂，所得SiO2原位包覆铯铅溴钙钛矿量子点样品具有优异的光稳定性能，其粒度小于3μm，部分粒子粒度可达亚微米级。
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公开(公告)号：CN114032525B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202111300528.7
申请日：2021-11-04
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明提供金刚石‑多层石墨烯复合阴极材料及其制备方法，主要采用有机液态小分子作为碳氮源，取代了传统的甲烷，氮气等气源并通过MPCVD法制备得到的一种在金刚石纳米线两侧围绕着几十纳米(≧20nm)厚的多层石墨烯的复合材料。该方法中采用的有机液态小分子正丁胺，比传统气源操作更简单，更安全，更廉价。所获得的复合阴极材料具有较好稳定性和优异的场发射性能。在场发射显示器、真空微波器件、X射线源(管)等真空微电子系统领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104962876B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510320273.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 西南科技大学
IPC: C23C16/27
Abstract: 本发明涉及一种石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法。石墨表面掺硼金刚石薄膜材料是在石墨基体表面先热丝化学气相沉积一层金属钨膜作为中间过渡层，再在其上热丝化学气相沉积掺硼金刚石膜。制备方法是将石墨基体放置于热丝等离子体化学气相沉积反应室内，将反应室抽真空后热丝通电达到1200°~1400°C，再通入羰基钨蒸汽，使羰基钨蒸汽分子在石墨基体表面分解沉积出金属钨膜作为中间层；然后调节灯丝电源升高灯丝温度达到2100‑2300°C，向反应室内通入甲烷、硼烷和氢气，在已沉积的钨层表面生长金刚石膜。本发明石墨基体不需转移，可在同一套装置中原位连续生长，这种方法高效、简便、低成本、且能保证薄膜制备的高质量。
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公开(公告)号：CN102683135A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110052624.4
申请日：2011-03-07
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于强流电子发射的天鹅绒复合阴极材料及其制备方法，在天鹅绒阴极材料背面和正面均镀覆一层高熔点金属薄膜，所镀覆高熔点金属薄膜为镀覆在天鹅绒阴极材料的纤维表面。其制备方法是将天鹅绒阴极材料置于真空电子束蒸发沉积镀膜仪中，启动聚焦电子束，使其轰击高熔点金属靶材表面20~40分钟，自然冷却，将天鹅绒阴极材料位置换一面，重复以上步骤完成背面和正面镀覆。本发明的天鹅绒复合阴极材料可提高电子发射过程中的电流—电压一致性，有效的抑制或削弱阴极材料电流发射过程中等离子体的产生，从而改善阴极材料的真空放气问题和不均匀性。而与传统金属阴极相比，制作容易，且有更低的发射阈值。
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公开(公告)号：CN101752019A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810188577.4
申请日：2008-12-16
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 一种辐射防护手套，其成膜材料是天然橡胶乳液、丁基橡胶乳液或两者按一定比例混合；其填充料为PbWO4、WO3的混合物浆体，其制备方法是：将WO3与NaOH溶液加热反应得到Na2WO4，以多季铵阳离子活性剂为分散剂，与Pb(Ac)2溶液反应得到PbWO4，另将WO3磨细后加入酪素的氨水溶液和PbWO4，磨细得到PbWO4～WO3复合浆体填充料。将填充料与天然橡胶乳液或丁基橡胶乳液、或两者的混合物胶乳混合得到填料-胶乳复合胶料，用模具做成手套即得产品。该手套除了对α射线有较好的屏蔽性外，对γ射线、氘、氚渗透亦有较好的屏蔽效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117839666B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410052716.X
申请日：2024-01-12
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明中公开了一种用于分离锝或铼的光催化剂和该光催化剂在光催化分离铼或锝中的应用。本发明制备的多晶型二氧化钛异相结材料的光催化剂，其异相结界面可以形成内建电场，驱动光生载流子的迁移，减小载流子复合率，且其比表面面积大、反应位点多，从而有效提高了其光催化分离铼或锝的性能；因此，该光催化剂能够利用模拟太阳光，在pH＝1的强酸性溶液中，实现对溶液中铼或锝的高效分离。
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公开(公告)号：CN116837356A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310582796.5
申请日：2023-05-23
Applicant: 西南科技大学 , 绵阳京东方光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯‑金刚石复合热界面材料、其制备方法及其应用，属于复合热界面材料技术领域，其制备方法为采用微波等离子体化学气相沉积法，以液态小分子为碳源和氮源，沉积于硅或石墨表面，生成石墨烯‑金刚石复合薄膜，然后进行有机高分子旋涂，使得有机高分子渗透进石墨烯‑金刚石复合薄膜内部孔隙，即得；本发明的石墨烯‑金刚石复合热界面材料的热导率≥90 W/(m·K)，柔性石墨烯‑金刚石复合热界面材料热导率≥10 W/(m·K)、弯折半径≥3.9mm、硬度达ASTM‑D2240标准22级；通过和商用热界面材料实测对比，使得智能OLED手机外表面温度降低≥2℃，使用寿命增长≥10%。
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公开(公告)号：CN116804626A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310559995.4
申请日：2023-05-18
Applicant: 西南科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种垂直石墨烯‑超纳米金刚石复合基底材料、其制备方法及其应用，属于光电子材料技术领域，其制备方法包括在金刚石粉中磨出均匀的划痕、将磨好的硅基片放入金刚石粉制成的悬浮液中超声完成种晶、将有机小分子液态源二异丙胺输送到沉积腔室中裂解成沉积所需要的基团等步骤；本发明材料的制备采用二异丙胺作为唯一的碳氮源，成本低；采用单步化学气相沉积方法操作简单，提升了操作过程的安全性；同时，所制得的材料作为火炸药表面增强拉曼散射（SERS）检测基底材料兼具高稳定性和高灵敏度，对其实现在火炸药SERS检测领域的应用具有重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN111733454B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010427973.9
申请日：2020-05-20
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的分离方法，属于大尺寸单晶金刚石制备技术领域。包括含掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的制备及线切割分离：在金刚石单晶衬底表面先通过化学气相沉积外延生长一层掺硼金刚石单晶膜作为中间过渡层，再在其上外延生长大尺寸金刚石单晶，然后通过电火花线切割除去含掺硼过渡层，实现CVD同质外延金刚石大单晶与衬底的分离。本发明在金刚石单晶衬底表面先沉积一层掺硼金刚石膜，再在其上外延生长大尺寸金刚石单晶，使产品局部具有导电性，在外延大尺寸金刚石单晶与衬底的电火花线切割加工中，掺硼过渡层既是放电区，也是分离消耗区，实现线切割技术对CVD同质外延金刚石大单晶的加工分离。
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公开(公告)号：CN114032525A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111300528.7
申请日：2021-11-04
Applicant: 西南科技大学
Abstract: 本发明提供金刚石‑多层石墨烯复合阴极材料及其制备方法，主要采用有机液态小分子作为碳氮源，取代了传统的甲烷，氮气等气源并通过MPCVD法制备得到的一种在金刚石纳米线两侧围绕着几十纳米(≧20nm)厚的多层石墨烯的复合材料。该方法中采用的有机液态小分子正丁胺，比传统气源操作更简单，更安全，更廉价。所获得的复合阴极材料具有较好稳定性和优异的场发射性能。在场发射显示器、真空微波器件、X射线源(管)等真空微电子系统领域有着广阔的应用前景。
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