公开(公告)号：CN117887995A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410057291.1

申请日：2024-01-16

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 温建武 ,  周星宇 ,  符亚军 ,  王军霞 ,  李晶 ,  曾敏 ,  刘丽莉 ,  任雪潭 ,  张亚萍 ,  李劲超

IPC: C22C1/08 ,  C01G51/04 ,  B22F1/054 ,  B22F9/20 ,  H01M4/36 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/62 ,  H01M4/52

Abstract: 本发明中公开了一种富纳米片的Co/CoO/Co3O4多孔复合材料及其制备方法和作为锂离子电池电极材料的应用。本发明以水作为溶剂，乙酸钴作为钴源，乙二胺四乙酸和乙二醇作燃料，硝酸作为氧化剂，在一定温度下恒温搅拌，得到前驱体溶液，然后通过加热溶液燃烧后得到前驱体粉末，再利用简单的热处理工艺对前驱体进行退火，得到最终产物。所制备的富纳米片Co/CoO/Co3O4多孔复合材料作为锂离子电池负极材料具有良好的循环性能。该富纳米片Co/CoO/Co3O4多孔复合材料制备过程简便，成本低，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN112609100A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011366828.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 王进 ,  吕雪玲 ,  曹林洪 ,  黄亚文 ,  符亚军

IPC: C22C1/08 ,  C23C28/02 ,  C23C18/24 ,  C23C18/30 ,  C23C18/40 ,  C25D3/38 ,  C25D5/50 ,  C25D5/54

Abstract: 本发明提供了一种泡沫铜及其制备方法和应用，涉及泡沫铜制备技术领域，上述泡沫铜的制备方法首先以聚氨酯泡沫为基体依次进行预处理、化学沉积、电沉积将金属铜沉积于聚氨酯泡沫上；随后进行热还原处理去除聚氨酯泡沫，得到泡沫铜；其中，所述热还原处理的热还原气体为氢气占体积含量10％的H2/Ar2混合气体，因而本发明热还原过程中氢气的使用量较低，进而有效降低了泡沫铜制备的成本和能源消耗，同时上述制备方法还具有制备工艺简单，易于操作的优势。此外，本发明制得的泡沫铜为一个整体形状，相对于现有常规的粉末状泡沫铜，具有更利于后期应用的优势。

公开(公告)号：CN117512573A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311589804.5

申请日：2023-11-27

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 符亚军 ,  林鑫 ,  蒋玉苹 ,  郭佳兴 ,  曹林洪 ,  温建武

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明公开了一种可以转移的二硫化钨薄膜及其制备方法与应用，属于制备技术领域。0.75‑1.5wt％的四硫代钨酸铵溶液与0.05‑0.1g聚乙烯醇混合，采用匀胶机旋涂方式于衬底表面旋涂，制成四硫代钨酸铵薄膜，干燥备用；将干燥后的四硫代钨酸铵薄膜先在H2/Ar气体下热处理，随后在Ar气氛下硫化处理，还原成二硫化钨薄膜；得到的二硫化钨薄膜通过湿化学方法使二硫化钨薄膜与基片分离。本发明的制备方法简单便捷、成本廉价，可以制备得到可转移至其他衬底上的二硫化钨薄膜。该可转移的二硫化钨薄膜表面连续均匀且面积较大，结晶质量好，电阻约为3×10‑6Ω，二硫化钨薄膜层数少(约为5‑6层)，厚度薄(约为4nm)，可用于制备光电器件等。

公开(公告)号：CN113802103B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202111097705.6

申请日：2021-09-18

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 符亚军 ,  杨镜鑫 ,  王进 ,  曹林洪 ,  黄亚文

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用，属于材料制备技术领域。上述方法包括：采用直流磁控溅射方式于基底表面沉积钨薄膜，冷却以使钨薄膜与基底分离。磁控溅射条件包括：溅射气压为＞0且≤1Pa，溅射功率为50‑90W，溅射时间为1‑4h，氩气流量为20‑40sccm，靶基距为5.5‑6.5cm，基底的转速为1‑10r/min，基底的温度为200‑600℃。该方法简单便捷、成本低廉、无化学污染，能够制备得到在无衬底支撑的条件下可独立存在的金属钨薄膜。该自支撑金属钨薄膜表面具有微孔结构以及较高的硬度，可用于制备光电子器件等。

公开(公告)号：CN113802103A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111097705.6

申请日：2021-09-18

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 符亚军 ,  杨镜鑫 ,  王进 ,  曹林洪 ,  黄亚文

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用，属于材料制备技术领域。上述方法包括：采用直流磁控溅射方式于基底表面沉积钨薄膜，冷却以使钨薄膜与基底分离。磁控溅射条件包括：溅射气压为＞0且≤1Pa，溅射功率为50‑90W，溅射时间为1‑4h，氩气流量为20‑40sccm，靶基距为5.5‑6.5cm，基底的转速为1‑10r/min，基底的温度为200‑600℃。该方法简单便捷、成本低廉、无化学污染，能够制备得到在无衬底支撑的条件下可独立存在的金属钨薄膜。该自支撑金属钨薄膜表面具有微孔结构以及较高的硬度，可用于制备光电子器件等。