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公开(公告)号：CN118139517A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211691766.X
申请日：2022-12-28
Applicant: 西南交通大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种具有光学调控性能的忆阻器的制备方法，具体为：将质量比为0.1g∶1g的铁酸铋粉末和碳化钛粉末进行水浴反应，得到反应后产物，制备成粉末，然后将pvdf加入吡咯烷酮溶液中，制备成胶体，把粉末加入制备好的胶体中进行搅拌，搅拌均匀后将其旋涂在下电极基底；旋涂后，将旋涂好的下电极基底片取出、烘干；在旋涂薄膜的基底上盖上掩膜版，利用磁控溅射制备顶电极，最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。本发明制备过程简单可行、成本低，制成的器件结构简单、性能优异、具有明显的忆阻效应，并且加光后性能明显提升，为开发新型多功能电子器件奠定了良好基础。
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