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公开(公告)号:CN114105640A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111514101.7
申请日:2021-12-13
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及超硬材料技术领域,具体涉及一种团簇纳米聚晶金刚石‑碳化硅烧结体及其制备方法,由包含微米级的团簇纳米聚晶金刚石颗粒和纳米级的硅粉的原料,在5GPa~12GPa,1100℃~1650℃条件下烧结制成,在团簇纳米聚晶金刚石‑碳化硅烧结体中,团簇纳米聚晶金刚石颗粒的缝隙间填充有纳米晶粒的碳化硅粘接剂。本发明采用团簇的纳米晶粒的聚晶金刚石颗粒替代单个金刚石晶粒作为初始原料,并与硅粉混合,在高温高压下进行烧结,获得具有真正意义上由纳米晶粒多晶金刚石和纳米晶粒碳化硅构成的微观纯纳米结构的复合烧结体,兼具极高的硬度;同时在现有超硬材料工厂生产使用的压力条件下可实现该团簇纳米聚晶金刚石‑碳化硅烧结体的大规模生产。
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公开(公告)号:CN108585855B
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN201810082112.4
申请日:2018-01-26
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 一种硒触媒的多晶金刚石烧结体及其制备方法,涉及超硬材料技术领域。一种硒触媒的多晶金刚石烧结体的制备方法,包括:将微米级的金刚石粉31.59~34.047重量份与微米级的硒粉1.473~4.79重量份组成的混合粉末进行研磨直至硒粉成为无定形硒粉;将混合粉末置于模具中,在室温、压强5MPa~20MPa的条件下成型为坯件;将坯件在6.5GPa~12.5GPa的压强下烧结固化,其中,烧结温度为1500℃~1900℃。该制备方法工艺简单,能制得高硬度的多晶金刚石烧结体。
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公开(公告)号:CN106975744A
公开(公告)日:2017-07-25
申请号:CN201710117430.5
申请日:2017-03-01
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: B22F3/08 , B22F2998/10 , C22C1/0416 , C22C1/045 , C22C21/00 , C22C27/02 , B22F1/0003 , B22F3/02
Abstract: 本发明公开了一种冲击压缩制备铌铝合金的方法,包括以下步骤:将铝粉与铌粉混合均匀;将混合均匀的粉末按照设定的质量称量,使用压片机将粉末预压成片;将压片放入回收盒并拧紧,随后将回收盒放入大质量钢架中;使用轻气炮驱动飞片撞击回收盒,产生的冲击波对压片进行冲击压缩做功,形成高温高压环境,制备得到铌铝合金;使用车床将铌铝合金从回收盒取出,并将铌铝合金表面的杂质磨掉。本发明所提供的冲击压缩制备铌铝合金的方法,利用铌铝合金制备为放热反应的特点,结合冲击压缩轻气炮冲击压缩加载时间快、压力分布均匀、产品颗粒度细和烧结性能好等优点,可在数十至数百纳秒时间内产生高温高压制备铌铝合金。
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公开(公告)号:CN111204765A
公开(公告)日:2020-05-29
申请号:CN202010089991.0
申请日:2020-02-13
Applicant: 西南交通大学
IPC: C01B32/914 , C01B19/04
Abstract: 本发明涉及新材料合成技术领域,具体涉及一种六方结构碳硒化合物及其制备方法,包括以下步骤:将10~20重量份的微米级的石墨粉或金刚石粉,与70~90重量份的微米级的硒粉混合球磨,得到均匀混合粉末;将混合粉末压制成胚件;将胚件在9.6~12.5GPa的压强下进行高温烧结10~7200s,烧结温度为1800~2300℃,冷却,得到六方结构碳硒化合物。本发明制得的六方结构碳硒化合物仅含有硒、碳两种元素,且两种元素的原子比为1:1,碳硒化合物晶体结构为六方结构,空间群为P-6m2,在室温条件下具有良好的抗氧化性,可以作为很好的金刚石触媒,对促进高品质、特殊性质的金刚石新材料的发展研究具有重要意义。
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公开(公告)号:CN113968736B
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202111453017.9
申请日:2021-12-01
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及超硬材料技术领域,具体涉及一种碲触媒的多晶金刚石烧结体及其制备方法,由包含晶粒尺寸为微米级的金刚石粉和微米级碲粉的原料在6.5~12GPa,1800℃~1950℃的高温高压条件下烧结制成,在多晶金刚石烧结体中,金刚石颗粒之间形成D‑D键,金刚石颗粒的缝隙内填充有碲和碲的碳化物。本发明采用属氧族元素的碲元素作为触媒,与金刚石粉料进行混料,预压、组装的过程中,碲不会氧化,因此省去传统金属触媒多晶金刚石烧结体生产流程中的触媒还原处理和真空预烧结的流程;在烧结过程中,碲以液态形式存在于金刚石颗粒的缝隙间,有利于形成更多的金刚石颗粒间的D‑D键结合,增大金刚石烧结体中D‑D键的密度,从而提高多晶金刚石烧结体的力学性能。
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公开(公告)号:CN113968736A
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202111453017.9
申请日:2021-12-01
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及超硬材料技术领域,具体涉及一种碲触媒的多晶金刚石烧结体及其制备方法,由包含晶粒尺寸为微米级的金刚石粉和微米级碲粉的原料在6.5~12GPa,1800℃~1950℃的高温高压条件下烧结制成,在多晶金刚石烧结体中,金刚石颗粒之间形成D‑D键,金刚石颗粒的缝隙内填充有碲和碲的碳化物。本发明采用属氧族元素的碲元素作为触媒,与金刚石粉料进行混料,预压、组装的过程中,碲不会氧化,因此省去传统金属触媒多晶金刚石烧结体生产流程中的触媒还原处理和真空预烧结的流程;在烧结过程中,碲以液态形式存在于金刚石颗粒的缝隙间,有利于形成更多的金刚石颗粒间的D‑D键结合,增大金刚石烧结体中D‑D键的密度,从而提高多晶金刚石烧结体的力学性能。
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公开(公告)号:CN108585855A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810082112.4
申请日:2018-01-26
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 一种硒触媒的多晶金刚石烧结体及其制备方法,涉及超硬材料技术领域。一种硒触媒的多晶金刚石烧结体的制备方法,包括:将微米级的金刚石粉31.59~34.047重量份与微米级的硒粉1.473~4.79重量份组成的混合粉末进行研磨直至硒粉成为无定形硒粉;将混合粉末置于模具中,在室温、压强5MPa~20MPa的条件下成型为坯件;将坯件在6.5GPa~12.5GPa的压强下烧结固化,其中,烧结温度为1500℃~1900℃。该制备方法工艺简单,能制得高硬度的多晶金刚石烧结体。
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