公开(公告)号：CN117440699A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311389911.3

申请日：2023-10-24

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李文 ,  潘伦瑶 ,  杨维清 ,  曾贤侃 ,  杨诗雨 ,  陈永建 ,  母茂林 ,  李承龙

IPC: H10K50/11 ,  H10K50/15 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。钙钛矿发光二极管从下至上依次为基片衬底、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和金属阴极层；基片衬底的材质为ITO导电玻璃；空穴传输层的材质为Cu2ZnSnS4；钙钛矿发光层的材质为FAPbBr3；电子传输层的材质为TPBi；金属阴极层的材质为LiF和Al。本发明制备的钙钛矿发光二极管利用Cu2ZnSnS4制备空穴传输层，绿色环保且具有较强的化学稳定性。

公开(公告)号：CN118613070A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410709610.2

申请日：2024-06-03

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李文 ,  母茂林 ,  杨维清 ,  潘伦瑶 ,  曾贤侃 ,  杨诗雨 ,  陈永建 ,  李承龙

IPC: H10K30/80 ,  H10K85/50 ,  H10K30/30 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明公开了一种基于铜锌锡硫的钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于纳米材料与发光显示技术领域。钙钛矿发光二极管从下至上依次为基片衬底、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和金属阴极层；基片衬底的材质为ITO导电玻璃；空穴注入层的材质为Cu2ZnSnS4；空穴传输层的材质为PVK；钙钛矿发光层的材质为FAPbBr3；电子传输层的材质为PO‑T2T；金属阴极层的材质为LiF和Al。本发明制备的钙钛矿发光二极管利用Cu2ZnSnS4制备空穴注入层，增强了空穴注入，改善了器件电荷平衡，提高了载流子复合效率，实现了高效的钙钛矿发光二极管。