-
公开(公告)号:CN111217319B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201911144602.3
申请日:2019-11-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一维ZnO纳米异质结阵列的制备方法,步骤如下:一维ZnO纳米线阵列的预处理;前驱体溶液的制备;一维ZnO纳米异质结阵列的制备:1、吸取适量前驱体溶液,滴加于ZnO纳米线阵列B之中,待液体完全扩散开后,静置10~15s;2、将另一ZnO纳米线阵列A按照衬底背面垂直朝上的方式置于阵列B之上,同时在阵列A的衬底背面中心处放置定值砝码,之后静置5~10min,前驱体溶液由阵列B向上移动至阵列A;3、从阵列B上取下阵列A,保持阵列A的衬底背面垂直朝下,然后进行退火处理,所得阵列A即为所制备的一维ZnO纳米异质结阵列。本发明方法操作简单,成本低廉,具有较好的重复性,可用于大规模生产。
-
公开(公告)号:CN110579509A
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201910927270.X
申请日:2019-09-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器及其制备方法,传感器包括气敏涂层、陶瓷管、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、电阻丝,所述金属电极Ⅰ和金属电极Ⅱ平行环绕在所述陶瓷管两端,所述金属电极Ⅰ伸出引脚Ⅰ和引脚Ⅴ,所述金属电极Ⅱ伸出引脚Ⅱ和引脚Ⅵ,所述气敏涂层均匀涂覆在陶瓷管外表面,所述电阻丝螺旋穿过所述陶瓷管,形成引脚Ⅲ和引脚Ⅳ,所述气敏涂层由IGZO纳米颗粒制成,能够探测的硫化氢气体最低浓度较低,且响应和恢复时间较短。
-
公开(公告)号:CN111217319A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201911144602.3
申请日:2019-11-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一维ZnO纳米异质结阵列的制备方法,步骤如下:一维ZnO纳米线阵列的预处理;前驱体溶液的制备;一维ZnO纳米异质结阵列的制备:1、吸取适量前驱体溶液,滴加于ZnO纳米线阵列B之中,待液体完全扩散开后,静置10~15s;2、将另一ZnO纳米线阵列A按照衬底背面垂直朝上的方式置于阵列B之上,同时在阵列A的衬底背面中心处放置定值砝码,之后静置5~10min,前驱体溶液由阵列B向上移动至阵列A;3、从阵列B上取下阵列A,保持阵列A的衬底背面垂直朝下,然后进行退火处理,所得阵列A即为所制备的一维ZnO纳米异质结阵列。本发明方法操作简单,成本低廉,具有较好的重复性,可用于大规模生产。
-
-