-
公开(公告)号：CN109585242A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811325781.6
申请日：2018-11-08
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明属于微波激射器领域，提出了一种双频高功率微波产生器。主要包括阴极引杆、环形爆炸发射阴极、磁体系统，以及轴向的高功率微波产生器和径向的高功率微波产生器，二者由同源的电压波注入驱动，分别在轴向均匀和径向均匀的低引导磁场下工作。阴极引杆位于结构的最左端，与环形爆炸发射阴极相连接。轴向和径向高功率微波产生器通过管头相共同构成管体，磁体系统套在管体外部。电压波注入，环形爆炸发射阴极以轴向和径向两个环形刀口处同时产生环形电子束，电子束在二极管区域强电场的作用下产生加速，分别在引导磁场的作用下注入到轴向和径向的高功率微波产生器中，进而可以同时驱动两个高功率微波器件，产生同一或不同波段的高功率微波输出。
-
公开(公告)号：CN112563094B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011449225.7
申请日：2020-12-09
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/04
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种抑制无箔二极管中电子束回流的方法，该方法在无箔二极管中应用斜面阴极，并将其完全浸没在均匀轴向磁场中；斜面阴极为与二极管同轴的回转体结构，斜面阴极的平顶段、直段与二极管轴线平行，前斜面与二极管轴线之间的夹角为θ1，后斜面与二极管轴线之间的夹角为θ2，平顶段与直段之间的垂直距离为斜面阴极半径最大增加量R，在保证阴极引杆上电场强度小于400kV/cm的条件下，通过增大斜面阴极半径最大增加量R实现电子束回流抑制。本发明通过在无箔二极管中应用斜面阴极，斜面阴极完全浸没在均匀引导磁场中，回流电子束会受到斜面阴极附近较强负电势的抑制作用以及斜面阴极的阻挡吸收作用，从而抑制电子束回流。
-
公开(公告)号：CN112563094A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011449225.7
申请日：2020-12-09
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J23/04
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域，公开了一种抑制无箔二极管中电子束回流的方法，该方法在无箔二极管中应用斜面阴极，并将其完全浸没在均匀轴向磁场中；斜面阴极为与二极管同轴的回转体结构，斜面阴极的平顶段、直段与二极管轴线平行，前斜面与二极管轴线之间的夹角为θ1，后斜面与二极管轴线之间的夹角为θ2，平顶段与直段之间的垂直距离为斜面阴极半径最大增加量R，在保证阴极引杆上电场强度小于400kV/cm的条件下，通过增大斜面阴极半径最大增加量R实现电子束回流抑制。本发明通过在无箔二极管中应用斜面阴极，斜面阴极完全浸没在均匀引导磁场中，回流电子束会受到斜面阴极附近较强负电势的抑制作用以及斜面阴极的阻挡吸收作用，从而抑制电子束回流。
-
公开(公告)号：CN109585242B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811325781.6
申请日：2018-11-08
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明属于微波激射器领域，提出了一种双频高功率微波产生器。主要包括阴极引杆、环形爆炸发射阴极、磁体系统，以及轴向的高功率微波产生器和径向的高功率微波产生器，二者由同源的电压波注入驱动，分别在轴向均匀和径向均匀的低引导磁场下工作。阴极引杆位于结构的最左端，与环形爆炸发射阴极相连接。轴向和径向高功率微波产生器通过管头相共同构成管体，磁体系统套在管体外部。电压波注入，环形爆炸发射阴极以轴向和径向两个环形刀口处同时产生环形电子束，电子束在二极管区域强电场的作用下产生加速，分别在引导磁场的作用下注入到轴向和径向的高功率微波产生器中，进而可以同时驱动两个高功率微波器件，产生同一或不同波段的高功率微波输出。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.021 seconds)
