公开(公告)号：CN104900774A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510231154.6

申请日：2015-05-07

Applicant: 西北工业大学明德学院

Inventor： 张璐 ,  商毅博 ,  于春丽 ,  邹丹 ,  李渝

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/005 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明是一种提高LED亮度的双缓冲层横向外延生长方法，包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一AlxGa1-xN？buffer缓冲层，其中0≤x≤1；2)高温生长一层具有六角锥形的阵列微坑第一U-GaN层；3)在NH3环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二低温AlxGa1-xN？buffer缓冲层；4)高温生长第二U-GaN层,完全覆盖第一U-GaN层的六角锥形的阵列微坑，在微坑处形成空腔；5)依次生长掺杂SiH4的n-GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层；6)在氮气氛围下退火。本发明的方法在蓝宝石衬底上生长一层具有六角锥形的阵列微坑，在此区域GaN基础上生长buffer-2，即实现了GaN衬底上生长GaN，能得到具有更少缺陷、更小内应力和更少晶体取向差异的晶核。

公开(公告)号：CN104900774B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510231154.6

申请日：2015-05-07

Applicant: 西北工业大学明德学院

Inventor： 张璐 ,  商毅博 ,  于春丽 ,  邹丹 ,  李渝

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明是一种提高LED亮度的双缓冲层横向外延生长方法，包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一AlxGa1‑xN buffer缓冲层，其中0≤x≤1；2)高温生长一层具有六角锥形的阵列微坑第一U‑GaN层；3)在NH3环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二低温AlxGa1‑xN buffer缓冲层；4)高温生长第二U‑GaN层,完全覆盖第一U‑GaN层的六角锥形的阵列微坑，在微坑处形成空腔；5)依次生长掺杂SiH4的n‑GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层；6)在氮气氛围下退火。本发明的方法在蓝宝石衬底上生长一层具有六角锥形的阵列微坑，在此区域GaN基础上生长buffer‑2，即实现了GaN衬底上生长GaN，能得到具有更少缺陷、更小内应力和更少晶体取向差异的晶核。