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公开(公告)号：CN116479305B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202310471007.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学 , 西安稀有金属材料研究院有限公司
Abstract: 本发明属于合金材料及其制备技术领域，涉及一种共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：采用磁控共沉积溅射技术向硅基底上同时溅射沉积NbMoWTa和Ag，其中使用直流电源控制NbMoWTa靶溅射，使用射频电源控制Ag靶溅射，通过调控不同的射频功率，获得不同Ag含量的(NbMoWTa)1‑xAgx共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜。本发明提供的制备方法工艺简单、稳定可控，所得到的薄膜表面光滑、结构致密、无明显缺陷。薄膜硬度高、摩擦低、超耐磨，可为实现难熔高熵合金薄膜在关键润滑部件的应用提供技术基础。
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公开(公告)号：CN113373416B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110638882.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于耐磨金属薄膜技术领域，涉及一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1：将基体、NbMoWTa和Ag置入真空沉积环境中，向沉积环境中输入离化气体；S2：打开一号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率7.23～7.55nm/s将NbMoWTa沉积在基体上得到NbMoWTa层，沉积至厚度4～5nm后关闭一号电源；S3：打开二号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率18.55～18.95nm/s将Ag沉积在NbMoWTa层上得到Ag层，沉积至厚度4～5nm后关闭二号电源；S4：按照S2将NbMoWTa沉积在Ag上；S5：重复S3～S4，制得耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。本发明提供的制备方法在提升了膜材料整体耐磨性的同时可使膜材料结构致密，摩擦系数大幅度降低，综合性能更加优良。
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公开(公告)号：CN116516228B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202310322429.1
申请日：2023-03-29
Abstract: 本发明属于耐磨合金材料技术领域，涉及一种超硬耐磨难熔高熵合金薄膜及其制备方法。所述的超硬耐磨难熔高熵合金薄膜具有超细纳米晶、硬度耐磨性能超常等特征。所述的制备方法包括以下步骤：制备NbMoWTa难熔高熵合金靶材；所述的溅射靶材是通过Nb、Mo、W、Ta金属粉末球磨混合后，在高温下进行等离子体烧结而成；采用磁控溅射法将所得到的难熔高熵合金靶材在硅基底上溅射成膜，得到超硬耐磨难熔高熵合金薄膜。本发明制备工艺简单、稳定可控；所得到的产品晶粒细小均一、力学性能和耐磨性优异。这为实现难熔高熵合金在极端工程应用提供了必要条件。
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公开(公告)号：CN113373416A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110638882.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于耐磨金属薄膜技术领域，涉及一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1：将基体、NbMoWTa和Ag置入真空沉积环境中，向沉积环境中输入离化气体；S2：打开一号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率7.23～7.55nm/s将NbMoWTa沉积在基体上得到NbMoWTa层，沉积至厚度4～5nm后关闭一号电源；S3：打开二号电源，以电源功率90～100W、基体偏压‑75～‑85V、基体转速3～4rpm、沉积速率18.55～18.95nm/s将Ag沉积在NbMoWTa层上得到Ag层，沉积至厚度4～5nm后关闭二号电源；S4：按照S2将NbMoWTa沉积在Ag上；S5：重复S3～S4，制得耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。本发明提供的制备方法在提升了膜材料整体耐磨性的同时可使膜材料结构致密，摩擦系数大幅度降低，综合性能更加优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113106408A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110400712.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于耐磨高熵合金技术领域，涉及一种自润滑难熔高熵合金薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射技术先在硅基体上镀一层NbMoWTa层，再以所述NbMoWTa层作为生长模板，交替沉积Ag层与NbMoWTa层形成NbMoWTa/Ag纳米多层膜，且最顶层为NbMoWTa层。本发明提供的制备自润滑难熔高熵合金薄膜的方法，制备得到的薄膜结构致密，镀膜面积大；且该方法简单易操作。
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公开(公告)号：CN112111685A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010995494.7
申请日：2020-09-21
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种耐磨难熔高熵合金及其制备方法，属于耐磨合金材料技术领域，包括以下步骤：利用电弧熔炼单质Ti、Hf、Nb、Zr、Al得到高熵合金锭；使用翻转浇铸设备熔化合金锭并浇铸进板状铜模，获得板状TiHfNbZrAlx高熵合金；本发明通过在TiHfNbZr单相高熵合金中引入Al元素，有助于降低高熵合金材料密度，加速第二相析出，使其具有优异的强度、硬度、塑性和耐磨性，在强度提高的基础上，其成本较低，制备所得的难熔高熵合金具备优异的综合性能，是航空航天在重载、强冲击等苛刻工况下应用的耐磨承重结构零件的最佳候选材料，在航空航天等领域的工程应用以及商业化生产方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116516228A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310322429.1
申请日：2023-03-29
Abstract: 本发明属于耐磨合金材料技术领域，涉及一种超硬耐磨难熔高熵合金薄膜及其制备方法。所述的超硬耐磨难熔高熵合金薄膜具有超细纳米晶、硬度耐磨性能超常等特征。所述的制备方法包括以下步骤：制备NbMoWTa难熔高熵合金靶材；所述的溅射靶材是通过Nb、Mo、W、Ta金属粉末球磨混合后，在高温下进行等离子体烧结而成；采用磁控溅射法将所得到的难熔高熵合金靶材在硅基底上溅射成膜，得到超硬耐磨难熔高熵合金薄膜。本发明制备工艺简单、稳定可控；所得到的产品晶粒细小均一、力学性能和耐磨性优异。这为实现难熔高熵合金在极端工程应用提供了必要条件。
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公开(公告)号：CN116479305A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310471007.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学 , 西安稀有金属材料研究院有限公司
Abstract: 本发明属于合金材料及其制备技术领域，涉及一种共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：采用磁控共沉积溅射技术向硅基底上同时溅射沉积NbMoWTa和Ag，其中使用直流电源控制NbMoWTa靶溅射，使用射频电源控制Ag靶溅射，通过调控不同的射频功率，获得不同Ag含量的(NbMoWTa)1‑xAgx共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜。本发明提供的制备方法工艺简单、稳定可控，所得到的薄膜表面光滑、结构致密、无明显缺陷。薄膜硬度高、摩擦低、超耐磨，可为实现难熔高熵合金薄膜在关键润滑部件的应用提供技术基础。
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公开(公告)号：CN113106408B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110400712.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于耐磨高熵合金技术领域，涉及一种自润滑难熔高熵合金薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射技术先在硅基体上镀一层NbMoWTa层，再以所述NbMoWTa层作为生长模板，交替沉积Ag层与NbMoWTa层形成NbMoWTa/Ag纳米多层膜，且最顶层为NbMoWTa层。本发明提供的制备自润滑难熔高熵合金薄膜的方法，制备得到的薄膜结构致密，镀膜面积大；且该方法简单易操作。
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