一种ZrB2-SiC共晶复合陶瓷的凝固制备方法

    公开(公告)号:CN107032795B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201710304665.5

    申请日:2017-05-03

    IPC分类号: C04B35/58 C04B35/64

    摘要: 一种ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷的定向凝固制备方法,采用高能CO2激光器激光束作为加热源,以较小光斑快速、区域熔化共晶成分的ZrB2‑SiC复合陶瓷,通过精确控制激光功率和扫描速率实现熔区的稳定,同时使熔区快速冷却并连续凝固,获得组织细化,相分布均匀且具有各向异性的ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷。本发明得到的ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷的微观组织为迷宫状的层片共晶组织,与采用常规烧结制备技术得到的ZrB2‑SiC复合陶瓷相比,这种组织的两相结合牢固,组织细化,相界面干净,无晶间非晶相,有利于其力学性能的进一步提高。

    具有定向层片组织的ZrB2-SiC共晶陶瓷制备方法

    公开(公告)号:CN108178632A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201810020543.8

    申请日:2018-01-10

    IPC分类号: C04B35/565 C04B35/622

    摘要: 一种具有定向层片组织的ZrB2-SiC共晶陶瓷制备方法。将高纯ZrB2粉体和SiC粉体混合,经机械球磨和油压压制基体,得到由真空氩气保护气氛烧结致密的ZrB2-SiC共晶陶瓷预制体。通过光聚焦悬浮区熔技术对得到的ZrB2-SiC共晶陶瓷预制体进行连续定向凝固,获得具有定向层片组织的ZrB2-SiC共晶陶瓷。本发明利用光聚焦悬浮区熔技术制备ZrB2-SiC共晶陶瓷材料,实现了ZrB2-SiC共晶复合陶瓷高温度梯度(~5000K/cm)、大凝固速率范围的无坩埚约束快速定向凝固,完全消除了传统定向凝固坩埚引起的污染和裂纹,获得了组织超细化,分布均匀,具有定向层片状组织的ZrB2-SiC共晶陶瓷材料。

    一种ZrB<base:Sub>2</base:Sub>‑SiC共晶复合陶瓷的凝固制备方法

    公开(公告)号:CN107032795A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710304665.5

    申请日:2017-05-03

    IPC分类号: C04B35/58 C04B35/64

    摘要: 一种ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷的定向凝固制备方法,采用高能CO2激光器激光束作为加热源,以较小光斑快速、区域熔化共晶成分的ZrB2‑SiC复合陶瓷,通过精确控制激光功率和扫描速率实现熔区的稳定,同时使熔区快速冷却并连续凝固,获得组织细化,相分布均匀且具有各向异性的ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷。本发明得到的ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷的微观组织为迷宫状的层片共晶组织,与采用常规烧结制备技术得到的ZrB2‑SiC复合陶瓷相比,这种组织的两相结合牢固,组织细化,相界面干净,无晶间非晶相,有利于其力学性能的进一步提高。

    具有定向层片组织的ZrB2-SiC共晶陶瓷制备方法

    公开(公告)号:CN108178632B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201810020543.8

    申请日:2018-01-10

    IPC分类号: C04B35/565 C04B35/622

    摘要: 一种具有定向层片组织的ZrB2‑SiC共晶陶瓷制备方法。将高纯ZrB2粉体和SiC粉体混合,经机械球磨和油压压制基体,得到由真空氩气保护气氛烧结致密的ZrB2‑SiC共晶陶瓷预制体。通过光聚焦悬浮区熔技术对得到的ZrB2‑SiC共晶陶瓷预制体进行连续定向凝固,获得具有定向层片组织的ZrB2‑SiC共晶陶瓷。本发明利用光聚焦悬浮区熔技术制备ZrB2‑SiC共晶陶瓷材料,实现了ZrB2‑SiC共晶复合陶瓷高温度梯度(~5000K/cm)、大凝固速率范围的无坩埚约束快速定向凝固,完全消除了传统定向凝固坩埚引起的污染和裂纹,获得了组织超细化,分布均匀,具有定向层片状组织的ZrB2‑SiC共晶陶瓷材料。