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公开(公告)号：CN104150939B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410355693.6
申请日：2014-07-24
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C04B35/83 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种电泳沉积CNTs增强陶瓷基复合材料的制备方法，电泳沉积法结合化学气相渗透工艺，使CNTs均匀的引入到连续纤维预制体中，能充分发挥CNTs的使裂纹偏转、拔出和桥接作用，有效提高复合材料的强韧性。与连续纤维增强的碳化硅陶瓷基(C/SiC)复合材料弯曲强度299.7MPa和剪切强度25.7MPa相比，其弯曲强度最高提高到146％，而剪切强度最大提高到262％。该方法不仅能减少高温和催化剂对增强体的损伤，而且能使得CNTs在预制体纤维上的均匀分散性，能充分发挥微米和纳米协同增强作用，提高C/SiC复合材料的强韧性。
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公开(公告)号：CN104086203B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410333870.0
申请日：2014-07-14
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/81 , C04B35/565 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种晶须和纤维协同强化陶瓷基复合材料的制备方法，用于解决现有C/SiC复合材料制备方法制备的材料抗弯强度差的技术问题。技术方案是首先采用球磨法将预处理好的晶须均匀分散，然后采用浆料涂刷法将晶须均匀地涂刷到每一层碳纤维布上，自然干燥并叠层，再用碳纤维将叠层穿刺缝合在一起制备成晶须纤维预制体，采用化学气相渗透法在晶须纤维预制体上沉积热解碳界面层，最后沉积SiC基体进行致密化。该方法通过引入的晶须在铺层方向上均匀地分布，利用二元协同增强作用，提高了C/SiC复合材料的强韧性。经测试，相同条件下，C/SiC复合材料弯曲强度由背景技术的235MPa提高到381～466MPa。
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公开(公告)号：CN104086203A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410333870.0
申请日：2014-07-14
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/81 , C04B35/565 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种晶须和纤维协同强化陶瓷基复合材料的制备方法，用于解决现有C/SiC复合材料制备方法制备的材料抗弯强度差的技术问题。技术方案是首先采用球磨法将预处理好的晶须均匀分散，然后采用浆料涂刷法将晶须均匀地涂刷到每一层碳纤维布上，自然干燥并叠层，再用碳纤维将叠层穿刺缝合在一起制备成晶须纤维预制体，采用化学气相渗透法在晶须纤维预制体上沉积热解碳界面层，最后沉积SiC基体进行致密化。该方法通过引入的晶须在铺层方向上均匀地分布，利用二元协同增强作用，提高了C/SiC复合材料的强韧性。经测试，相同条件下，C/SiC复合材料弯曲强度由背景技术的235MPa提高到381～466MPa。
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公开(公告)号：CN104150939A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410355693.6
申请日：2014-07-24
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C04B35/83 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种电泳沉积CNTs增强陶瓷基复合材料的制备方法，电泳沉积法结合化学气相渗透工艺，使CNTs均匀的引入到连续纤维预制体中，能充分发挥CNTs的使裂纹偏转、拔出和桥接作用，有效提高复合材料的强韧性。与连续纤维增强的碳化硅陶瓷基(C/SiC)复合材料弯曲强度299.7MPa和剪切强度25.7MPa相比，其弯曲强度最高提高到146％，而剪切强度最大提高到262％。该方法不仅能减少高温和催化剂对增强体的损伤，而且能使得CNTs在预制体纤维上的均匀分散性，能充分发挥微米和纳米协同增强作用，提高C/SiC复合材料的强韧性。
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公开(公告)号：CN102830001B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201210299118.X
申请日：2012-08-22
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明公开了一种陶瓷基复合材料分层缺陷标样的制备方法，用于解决现有方法制备缺陷标样易变形和尺寸控制难的技术问题。技术方案是通过制作带有聚四氟乙烯缺陷的碳纤维预制体，在带有聚四氟乙烯缺陷的碳纤维预制体上化学气相沉积法（CVD）沉积热解碳、CVI浸渗碳化硅基体，制备出陶瓷基复合材料分层缺陷标样。使用该方法制备分层缺陷标样过程不会产生应力使预置缺陷变形屈曲，预置缺陷分解不会导致分层缺陷粘连，而且该方法制备的分层缺陷容易通过无损检测来识别，可评价检测设备对分层缺陷的适用性、灵敏度和精度，缺陷形状尺寸与所设计的缺陷完全吻合，不会发生边缘翘曲的问题。
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公开(公告)号：CN102830001A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210299118.X
申请日：2012-08-22
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明公开了一种陶瓷基复合材料分层缺陷标样的制备方法，用于解决现有方法制备缺陷标样易变形和尺寸控制难的技术问题。技术方案是通过制作带有聚四氟乙烯缺陷的碳纤维预制体，在带有聚四氟乙烯缺陷的碳纤维预制体上化学气相沉积法（CVD）沉积热解碳、CVI浸渗碳化硅基体，制备出陶瓷基复合材料分层缺陷标样。使用该方法制备分层缺陷标样过程不会产生应力使预置缺陷变形屈曲，预置缺陷分解不会导致分层缺陷粘连，而且该方法制备的分层缺陷容易通过无损检测来识别，可评价检测设备对分层缺陷的适用性、灵敏度和精度，缺陷形状尺寸与所设计的缺陷完全吻合，不会发生边缘翘曲的问题。
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