公开(公告)号：CN112899721B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202110060186.X

申请日：2021-01-18

Applicant: 西北农林科技大学

Inventor： 姜建刚 ,  任文艺 ,  王鹤 ,  张锐 ,  代筱娟 ,  曹煜轩 ,  石文密 ,  李正直 ,  徐屾明

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明涉及一种三维ZnO/CdS纳米阵列电极及其制备方法，包括以下步骤：步骤一，选用镀有F：SnO2导电层的玻璃板作为衬底；步骤二，将所述衬底放入乙酸锌和六甲基四胺的混合溶液中密封水热，将水热处理后的衬底煅烧得到ZnO纳米棒阵列；步骤三，将所述ZnO纳米棒阵列放入氯化镉和硫脲的混合溶液中密封水热，所述氯化镉和硫脲的混合溶液中还加入了三乙醇胺作为表面活性剂，并利用氨水调节pH值使所述氯化镉和硫脲的混合溶液澄清透明；将水热处理后的ZnO纳米棒阵列煅烧，将煅烧处理后的ZnO纳米棒阵列冲洗后得到三维ZnO/CdS纳米阵列电极。该制备方法可以获得光能吸收率高、表面反应速率快、光能转换效率高的三维ZnO/CdS纳米阵列电极。

公开(公告)号：CN112899721A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110060186.X

申请日：2021-01-18

Applicant: 西北农林科技大学

Inventor： 姜建刚 ,  任文艺 ,  王鹤 ,  张锐 ,  代筱娟 ,  曹煜轩 ,  石文密 ,  李正直 ,  徐屾明

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明涉及一种三维ZnO/CdS纳米阵列电极及其制备方法，包括以下步骤：步骤一，选用镀有F：SnO2导电层的玻璃板作为衬底；步骤二，将所述衬底放入乙酸锌和六甲基四胺的混合溶液中密封水热，将水热处理后的衬底煅烧得到ZnO纳米棒阵列；步骤三，将所述ZnO纳米棒阵列放入氯化镉和硫脲的混合溶液中密封水热，所述氯化镉和硫脲的混合溶液中还加入了三乙醇胺作为表面活性剂，并利用氨水调节pH值使所述氯化镉和硫脲的混合溶液澄清透明；将水热处理后的ZnO纳米棒阵列煅烧，将煅烧处理后的ZnO纳米棒阵列冲洗后得到三维ZnO/CdS纳米阵列电极。该制备方法可以获得光能吸收率高、表面反应速率快、光能转换效率高的三维ZnO/CdS纳米阵列电极。