公开(公告)号：CN1006099B

公开(公告)日：1989-12-13

申请号：CN86102770

申请日：1986-04-21

Applicant: 菲利浦光灯制造公司

Inventor： 霍伯雷克斯·阿瑟·玛丽·尤金 ,  诺拉·戴特·简·威廉

IPC: G11B7/05 ,  H01L3/02 ,  H01L27/14

CPC classification number: G11B7/1359 ,  G11B7/0916 ,  G11B7/094 ,  G11B7/13 ,  G11B7/133 ,  G11B7/1381 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02024

Abstract: 在一种用于在一记录载体的辐射反射表面上读取和/或写入信息的系统中，一聚焦误差探测系统配备以一位置灵敏辐射探测器，在工作条件下，其半导体本体至少包含一位于两附有联接电极的辐射灵敏二极管间的高欧姆电阻区，一位于两个附有联接电极的半导体区之间的高欧姆电阻区，可以这样方法改变加在联接电极的电压实现表现对中，使通过二极管的光电流相等。由此得到的信号可提供给如用于光学读取和写入装置及其它测置装置的测量和控制系统中。

公开(公告)号：CN86102770A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN86102770

申请日：1986-04-21

Applicant: 菲利浦光灯制造公司

Inventor： 霍伯雷克斯·阿瑟·玛丽·尤金 ,  诺拉·戴特·简·威廉

IPC: G11B7/095

CPC classification number: G11B7/1359 ,  G11B7/0916 ,  G11B7/094 ,  G11B7/13 ,  G11B7/133 ,  G11B7/1381 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02024

Abstract: 在一种位置灵敏辐射探测器中，在工作条件下，它所含有的半导体本体至少包含一个位于两个附有联接电极(9)的辐射灵敏二极管(6)之间的高欧姆电阻区(11)，一个位于两个附有联接电极(9)的半导体区(6)之间的高欧姆电阻区(11)，可以用下述方法实现表观对中心，即改变加在联接电极(9)上的电压，使通过二极管(6)的光电流相等。由此得到的信号可以提供给诸如光学读取和写入装置及其它测量装置中的测量和控制系统。