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发明公开
用于控制俘获离子的装置审中-公开

公开(公告)号：CN118352218A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410053763.6

申请日：2024-01-12

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： C·罗斯勒 , J·沃尔 , K·K·H·舒佩特 , A·凯撒 , S·温克勒

IPC分类号： H01J49/42 , G21K1/087 , G06N10/20

摘要： 本公开涉及用于控制俘获离子的装置。用于控制俘获离子的微制造装置包括具有主表面的第一衬底。结构化的第一金属层设置在第一衬底的主表面之上。结构化的第一金属层包括至少一个离子俘获区的电极，所述至少一个离子俘获区被配置为将离子俘获在结构化的第一金属层上方的空间中。电介质元件固定地附接到第一衬底。电介质元件包括至少一个激光路径以及覆盖有层的表面。该层是导电层。该层对于激光是光学透明的。该层布置在至少一个激光路径和至少一个离子俘获区之间。