公开(公告)号：CN103827765A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201180073775.6

申请日：2011-09-30

申请人： 英特尔公司

发明人： X.梁

IPC分类号： G05F1/325 ,  H01F21/00

CPC分类号： H01F27/00 ,  H01F3/10 ,  H01F21/00 ,  H01F2003/103

摘要： 一种设备包括与第二芯间隔开的第一芯。第二芯具有有着第一绕组的第一区段、有着第二绕组的第二区段以及在第一和第二区段之间的第三区段。在第一芯与第二芯的第三区段之间包括至少一个填充物。设备的操作状态基于通过填充物的磁通量的量而改变。当通量处于不饱和水平时，第一和第二绕组作为解耦电感器进行操作。当通量处于饱和水平时，第一和第二绕组作为耦合电感器进行操作。可基于通过所述绕组中的一个或多个绕组的电流的大小和/或填充物材料的磁导率来确定通过填充物的磁通量的量。

公开(公告)号：CN103827765B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201180073775.6

申请日：2011-09-30

申请人： 英特尔公司

发明人： X.梁

IPC分类号： G05F1/325 ,  H01F21/00

CPC分类号： H01F27/00 ,  H01F3/10 ,  H01F21/00 ,  H01F2003/103

摘要： 一种设备包括与第二芯间隔开的第一芯。第二芯具有有着第一绕组的第一区段、有着第二绕组的第二区段以及在第一和第二区段之间的第三区段。在第一芯与第二芯的第三区段之间包括至少一个填充物。设备的操作状态基于通过填充物的磁通量的量而改变。当通量处于不饱和水平时，第一和第二绕组作为解耦电感器进行操作。当通量处于饱和水平时，第一和第二绕组作为耦合电感器进行操作。可基于通过所述绕组中的一个或多个绕组的电流的大小和/或填充物材料的磁导率来确定通过填充物的磁通量的量。