-
公开(公告)号:CN100565734C
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN02815337.5
申请日:2002-08-01
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明的电容器具有连接电容器第一电端子的多层铝箔以及连接电容器第二电端子的另外多层铝箔。通过聚合物如导电有机聚合物分隔铝箔层,以使每层聚合物将连接第一电端子的铝箔层与连接第二端子的铝箔层物理分隔开。在一些这样的实施例中,可蚀刻铝箔以提供更大的表面积和电容,也可氧化铝箔以形成介质层。
-
公开(公告)号:CN101133459A
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200680006455.8
申请日:2006-03-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C7/04 , G11C11/406 , G06F1/20
CPC classification number: G11C11/40626 , G11C7/04 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C2211/4061 , G11C2211/4067
Abstract: 一种存储单元(10)的自刷新速率可以基于温度来管理。在本发明的一个实施例中,本发明可以包括测量存储单元的温度,该存储单元具有自刷新速率以保持数据完整性、将测量的温度与阈值进行比较、以及基于比较来调整存储单元的自刷新速率。
-
公开(公告)号:CN1539151A
公开(公告)日:2004-10-20
申请号:CN02815337.5
申请日:2002-08-01
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本发明的电容器具有连接电容器第一电端子的多层铝箔以及连接电容器第二电端子的另外多层铝箔。通过聚合物如导电有机聚合物分隔铝箔层,以使每层聚合物将连接第一电端子的铝箔层与连接第二端子的铝箔层物理分隔开。在一些这种实施例里可蚀刻铝箔以提供更大的表面积和电容,也可氧化以形成介质层。
-
-