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公开(公告)号：CN103474586A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310462670.0
申请日：2013-09-30
Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种OLED器件及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一表面的第一电极层、发光层、介于所述第一电极层与所述发光层之间的第一电荷传输层、第二电极层、介于所述第二电极层与所述发光层之间的第二电荷传输层，其中，所述衬底另一表面设有纳米凹凸结构层，所述纳米凹凸结构层上具有呈准周期或非周期性形状、且其折射率沿出射光方向呈梯度变化的第一纳米凹凸结构；本发明不仅有效提高OLED器件的外量子提取效率，而且制作工序简单、成本低。
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