一种钼修饰氧化铁光电极的制备方法及表面改性方法

    公开(公告)号:CN109518206B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201811489730.7

    申请日:2018-12-06

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 钟俊 魏爱民

    Abstract: 本发明提供了一种钼修饰氧化铁光电极的制备方法及表面改性方法。该制备方法包括如下步骤:将FTO导电玻璃以导电面朝上的方式置入反应釜,并向所述反应釜中加入含钼元素的前驱体溶液;将所述反应釜在80‑180℃下加热4‑7h,并待所述反应釜加热完毕冷却后取出所述FTO导电玻璃;将所述FTO导电玻璃倾斜地置入盛有铁的无机盐和矿化剂水溶液的反应釜中,并将所述反应釜在60‑100℃下加热2‑5h,并待所述反应釜加热完毕冷却后取出所述FTO导电玻璃;将所述FTO导电玻璃在500‑600℃下退火1‑3h,再在700‑800℃下退火10‑30min,从而在所述FTO导电玻璃上生长钼修饰氧化铁光电极。上述制备方法以及改性方法极大地提高了Fe2O3光电极的光电流密度、降低了起始电压,从而极大地提升了光电极的光电催化性能。

    一种钼修饰氧化铁光电极的制备方法及表面改性方法

    公开(公告)号:CN109518206A

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201811489730.7

    申请日:2018-12-06

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 钟俊 魏爱民

    Abstract: 本发明提供了一种钼修饰氧化铁光电极的制备方法及表面改性方法。该制备方法包括如下步骤:将FTO导电玻璃以导电面朝上的方式置入反应釜,并向所述反应釜中加入含钼元素的前驱体溶液;将所述反应釜在80-180℃下加热4-7h,并待所述反应釜加热完毕冷却后取出所述FTO导电玻璃;将所述FTO导电玻璃倾斜地置入盛有铁的无机盐和矿化剂水溶液的反应釜中,并将所述反应釜在60-100℃下加热2-5h,并待所述反应釜加热完毕冷却后取出所述FTO导电玻璃;将所述FTO导电玻璃在500-600℃下退火1-3h,再在700-800℃下退火10-30min,从而在所述FTO导电玻璃上生长钼修饰氧化铁光电极。上述制备方法以及改性方法极大地提高了Fe2O3光电极的光电流密度、降低了起始电压,从而极大地提升了光电极的光电催化性能。

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