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公开(公告)号:CN111653631B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202010524061.3
申请日:2020-06-10
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器及制造方法,包括基底、第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜,且所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜依次叠加设置所述基底上,所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层以及分布式布拉格反射镜组成光学微腔。本发明有效光学吸收强且工作波长随入射光角度变化而不会发生变化。
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公开(公告)号:CN111653631A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN202010524061.3
申请日:2020-06-10
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种工作波长与入射光角度无关的热电子光探测器及制造方法,包括基底、第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜,且所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层和分布式布拉格反射镜依次叠加设置所述基底上,所述第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、微腔中间层以及分布式布拉格反射镜组成光学微腔。本发明有效光学吸收强且工作波长随入射光角度变化而不会发生变化。
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公开(公告)号:CN111477701A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010328770.4
申请日:2020-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种平面双微腔热电子光探测器及其制备方法,包括从下至上依次设置的基底、第一金属层、第一半导体介质层、第二金属层、第二半导体中间层和第三金属层;所述第二金属层与第三金属层的膜厚相同,所述第二金属层与第三金属层的材料和结构皆一致;所述第一半导体介质层与第二半导体介质层的膜厚相同,所述第二半导体介质层和第二半导体介质层的材料和结构皆一致。其具有很高的光响应度,降低金属层的厚度,提高热电子输运效率的同时不损失光学吸收,结构简单,价格低廉,便于大规模制备。
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公开(公告)号:CN111477701B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202010328770.4
申请日:2020-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种平面双微腔热电子光探测器及其制备方法,包括从下至上依次设置的基底、第一金属层、第一半导体介质层、第二金属层、第二半导体中间层和第三金属层;所述第二金属层与第三金属层的膜厚相同,所述第二金属层与第三金属层的材料和结构皆一致;所述第一半导体介质层与第二半导体介质层的膜厚相同,所述第二半导体介质层和第二半导体介质层的材料和结构皆一致。其具有很高的光响应度,降低金属层的厚度,提高热电子输运效率的同时不损失光学吸收,结构简单,价格低廉,便于大规模制备。
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公开(公告)号:CN111477700B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202010327903.6
申请日:2020-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于完美吸收超材料的热电子光探测器及其制备方法,包括基底,在所述基底上由下向上依次设置有第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、超材料介质层和周期性介质点阵;所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的材质一致;所述第一金属薄膜作为底电极,所述第二金属薄膜作为顶电极;其中,所述第一金属薄膜为光学阻挡层和电学输运层。其光学吸收好,电学输运效率高,光探测器的响应度好。
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公开(公告)号:CN111477700A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010327903.6
申请日:2020-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于完美吸收超材料的热电子光探测器及其制备方法,包括基底,在所述基底上由下向上依次设置有第一金属薄膜、电极中间层、第二金属薄膜、超材料介质层和周期性介质点阵;所述第一金属薄膜与第二金属薄膜的材质一致;所述第一金属薄膜作为底电极,所述第二金属薄膜作为顶电极;其中,所述第一金属薄膜为光学阻挡层和电学输运层。其光学吸收好,电学输运效率高,光探测器的响应度好。
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