基于CMOS的神经元激活函数电路及神经元电路

    公开(公告)号:CN111652362B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202010501402.5

    申请日:2020-06-04

    申请人: 苏州大学

    发明人: 吴晨健 邢世威

    IPC分类号: G06N3/065 G06N3/048

    摘要: 本发明公开了一种基于CMOS的神经元激活函数电路及神经元电路,包括输入端;输出端;输入单元,连接所述输入端;第一函数单元,连接所述输入单元和所述输出端,其被配置为当所述输入端为正信号时,将所述输入端的电流1:1传递至所述输出端;第二函数单元,连接所述输入单元和所述输出端,其被配置为当所述输入端为负信号时,将所述输入端的电流1:k传递至所述输出端,k为大于零小于1的参数。本发明基于CMOS的神经元激活函数电路及神经元电路,保留Relu函数所有技术优势的同时,有效解决均值偏移、梯度消失和神经元死亡的问题,具有结构简单、精度高,输入信号范围大的技术特点。

    基于CMOS的神经元激活函数电路及神经元电路

    公开(公告)号:CN111652362A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN202010501402.5

    申请日:2020-06-04

    申请人: 苏州大学

    发明人: 吴晨健 邢世威

    IPC分类号: G06N3/063 G06N3/04

    摘要: 本发明公开了一种基于CMOS的神经元激活函数电路及神经元电路,包括输入端;输出端;输入单元,连接所述输入端;第一函数单元,连接所述输入单元和所述输出端,其被配置为当所述输入端为正信号时,将所述输入端的电流1:1传递至所述输出端;第二函数单元,连接所述输入单元和所述输出端,其被配置为当所述输入端为负信号时,将所述输入端的电流1:k传递至所述输出端,k为大于零小于1的参数。本发明基于CMOS的神经元激活函数电路及神经元电路,保留Relu函数所有技术优势的同时,有效解决均值偏移、梯度消失和神经元死亡的问题,具有结构简单、精度高,输入信号范围大的技术特点。

    Sigmoid函数电路及神经元电路

    公开(公告)号:CN111600595B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202010514267.8

    申请日:2020-06-08

    申请人: 苏州大学

    发明人: 吴晨健 邢世威

    IPC分类号: H03K19/0185

    摘要: 本发明公开了一种Sigmoid函数电路及神经元电路,包括输入端;输出端;Sigmoid拟合函数单元,其被配置为基于Sigmoid拟合函数将所述输入端的信号传递至所述输出端,所述Sigmoid拟合函数单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管,第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。本发明的Sigmoid函数电路及神经元电路,sigmoid函数与理想sigmoid函数的最大误差不超过1.76%,具有精度高、结构简单、输入范围大、占用芯片面积小的技术优势。

    Sigmoid函数电路及神经元电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111600595A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010514267.8

    申请日:2020-06-08

    申请人: 苏州大学

    发明人: 吴晨健 邢世威

    IPC分类号: H03K19/0185

    摘要: 本发明公开了一种Sigmoid函数电路及神经元电路,包括输入端;输出端;Sigmoid拟合函数单元,其被配置为基于Sigmoid拟合函数将所述输入端的信号传递至所述输出端,所述Sigmoid拟合函数单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管,第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。本发明的Sigmoid函数电路及神经元电路,sigmoid函数与理想sigmoid函数的最大误差不超过1.76%,具有精度高、结构简单、输入范围大、占用芯片面积小的技术优势。