Pt负载富硫二硫化钼边界位点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN108505098B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201810361912.X

    申请日:2018-06-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种Pt负载富硫二硫化钼边界位点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法,先对基底材料表面进行清洁预处理;然后配制含氟化铵和水的乙二醇溶液为电解液,对钛基底材料进行电化学阳极氧化,并将其置于马弗炉内煅烧;再采用水热法在TiO2纳米管阵列上搭建垂直排列的富硫二硫化钼纳米片;最后以Pt线为对电极、Ag/AgCl为参比电极、硫酸为电解液,通过电化学循环伏安法将Pt沉积至富硫二硫化钼片边缘位点。本发明的Pt负载富硫二硫化钼边界位点修饰二氧化钛纳米管提高了对可见光的吸收,同时利用复合材料形成金属‑p‑n结,负载活性边缘位点极大地提高了电子传输,促进了对可见光降解有机污染物的能力。

    金属有机框架衍生四氧化三钴修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN108525667A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810315665.X

    申请日:2018-04-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属有机框架衍生四氧化三钴修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法,先将钛片基底材料进行预处理;将含有氟化铵以及水的乙二醇溶液作为电解液,对处理后的钛基底材料进行电化学处理,随之进行马弗炉煅烧改变二氧化钛晶型;其次借助三电极电化学工作站,将六水合硝酸钴作为电解液,二氧化钛纳米管阵列作为工作电极,铂片为负极,银/氯化银作为参比电极进行电沉积氢氧化钴;接着将二氧化钛纳米管阵列进行水热处理原位形成ZIF-67;最后进行马弗炉二次煅烧则获得ZIF-67衍生的多孔四氧化三钴修饰的二氧化钛纳米管阵列。本发明可以有效提高TiO2对可见光的吸收能力、促进电子空穴对的分离,提高有机污染物的光催化降解效率。

    Pt负载富硫二硫化钼边界位点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN108505098A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810361912.X

    申请日:2018-06-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种Pt负载富硫二硫化钼边界位点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法,先对基底材料表面进行清洁预处理;然后配制含氟化铵和水的乙二醇溶液为电解液,对钛基底材料进行电化学阳极氧化,并将其置于马弗炉内煅烧;再采用水热法在TiO2纳米管阵列上搭建垂直排列的富硫二硫化钼纳米片;最后以Pt线为对电极、Ag/AgCl为参比电极、硫酸为电解液,通过电化学循环伏安法将Pt沉积至富硫二硫化钼片边缘位点。本发明的Pt负载富硫二硫化钼边界位点修饰二氧化钛纳米管提高了对可见光的吸收,同时利用复合材料形成金属-p-n结,负载活性边缘位点极大地提高了电子传输,促进了对可见光降解有机污染物的能力。

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