公开(公告)号：CN115172602A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210623053.3

申请日：2022-06-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨新波 ,  苏兆俊 ,  张晓宏

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结，该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2，ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池，具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点，既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流，还可以减小沉积损伤，进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN115172602B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202210623053.3

申请日：2022-06-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨新波 ,  苏兆俊 ,  张晓宏

IPC: H10K30/85 ,  H10K30/86 ,  H10K30/88 ,  H10K30/50 ,  H10K39/15

Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结，该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2，ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池，具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点，既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流，还可以减小沉积损伤，进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。