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公开(公告)号：CN112713255B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011602113.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了单晶电致发光器件的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底，基底的表面上覆盖有透明导电电极材料；对基底进行亲水修饰处理，并对处理后的基底进行图案化光刻，以获得图案化基底；在图案化基底上施加电致发光材料溶液，再在其上覆盖盖片，在预设温度下加热，以在图案化基底上生长析出单晶发光材料；向图案化基底的靠近单晶发光材料的边缘处施加高分子绝缘层材料溶液，并使高分子绝缘层材料溶液覆盖部分单晶发光材料的表面，从而在单晶发光材料和图案化基底之间形成高分子绝缘层；在单晶发光材料和高分子绝缘层上蒸镀功能层材料，以获得单晶电致发光器件。该方法可以与传统光刻相兼容，极大提高发光器件的分辨率。
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公开(公告)号：CN119121370A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411001618.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高质量钙钛矿薄单晶生长的预成核辅助的空间限域方法，包括，配置有机‑无机杂化钙钛矿前驱体溶液，将有机‑无机杂化钙钛矿前驱体溶液溶解于DMF溶剂中搅拌，室温静置后得到近饱和溶液；利用强力夹将不对称的基底组合形成微米级的二维限域空间；将近饱和溶液加入二维限域空间固定后，进行热处理，得到预成核的钙钛矿薄单晶；将预成核的钙钛矿薄单晶在恒温恒湿下进行生长得到所述高质量钙钛矿薄单晶；所述恒温温度为23℃～27℃，恒湿湿度为35％～45％。由该方法生长的晶体所制备的器件表现出更高的器件性能和工作稳定性。
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公开(公告)号：CN112713255A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011602113.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了单晶电致发光器件的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底，基底的表面上覆盖有透明导电电极材料；对基底进行亲水修饰处理，并对处理后的基底进行图案化光刻，以获得图案化基底；在图案化基底上施加电致发光材料溶液，再在其上覆盖盖片，在预设温度下加热，以在图案化基底上生长析出单晶发光材料；向图案化基底的靠近单晶发光材料的边缘处施加高分子绝缘层材料溶液，并使高分子绝缘层材料溶液覆盖部分单晶发光材料的表面，从而在单晶发光材料和图案化基底之间形成高分子绝缘层；在单晶发光材料和高分子绝缘层上蒸镀功能层材料，以获得单晶电致发光器件。该方法可以与传统光刻相兼容，极大提高发光器件的分辨率。
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