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公开(公告)号：CN116828961A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310508657.8
申请日：2023-05-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H10N30/857 , H10N30/098 , H10N30/30 , C08J5/18 , C08L27/16 , G01D5/14
Abstract: 本发明属于压电传感技术领域，具体涉及一种聚偏氟乙烯压电薄膜及其制备和应用。该聚偏氟乙烯压电薄膜的材质为聚偏氟乙烯均聚物，聚偏氟乙烯压电薄膜的表面具有粗糙度，所述粗糙度的轮廓算数平均偏差为0.01‑100，均方根为0.006‑60μm。本发明PVDF压电薄膜具有良好的压电性能和较好的温度稳定性；利用本发明PVDF压电薄膜制备的传感器具有较高的使用温度，有利于其广泛使用。
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