3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105568313B

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201510919533.4

    申请日:2015-12-11

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 李亮 田维 武芳丽

    CPC classification number: Y02E60/366 Y02E70/10

    Abstract: 本发明公开了一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法,该异质结光电极材料由氧化铜(CuO)与氧化锌(ZnO)复合而成,该异质结光电极材料呈三维立体分枝状结构,该制备方法为在氧化铜纳米棒上合成氧化锌分枝状纳米棒,形成一个树枝状纳米结构,制备出3D分枝状半导体纳米异质结光阴极,这种电极,可以有效增加对太阳光的吸收,加速电子空穴对的有效分离,从而减少它们的复合并促进电荷的传输,优化传统单一半导体电极光电化转换效率,提高光解水效率,此外,所用材料具有环境友好,价格低廉的优点,具有很好的应用前景。

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