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公开(公告)号：CN114672312A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210249332.8
申请日：2022-03-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化物闪烁体，所述铈掺杂硫化物闪烁体为晶体材料，其化学式为LaXSiS4:yCe，其中X为Li、Na、K、Rb或Cs，0＜y＜0.1。本发明还公开了铈掺杂硫化物闪烁体LaCsSiS4:yCe的制备方法，包括以下步骤：将氧化镧、氧化铈、硼粉、硅粉和硫粉和过量的氯化铯混合、研磨后，真空下密封，再于800～850℃下煅烧，使得原料发生反应；反应结束后，得到产物LaCsSiS4:yCe。本发明的铈掺杂硫化物闪烁体，在室温下同时具备高发光效率、快闪烁和抗辐照和湿度稳定性。
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公开(公告)号：CN114672312B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210249332.8
申请日：2022-03-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硫化物闪烁体，所述铈掺杂硫化物闪烁体为晶体材料，其化学式为LaXSiS4:yCe，其中X为Li、Na、K、Rb或Cs，0＜y＜0.1。本发明还公开了铈掺杂硫化物闪烁体LaCsSiS4:yCe的制备方法，包括以下步骤：将氧化镧、氧化铈、硼粉、硅粉和硫粉和过量的氯化铯混合、研磨后，真空下密封，再于800～850℃下煅烧，使得原料发生反应；反应结束后，得到产物LaCsSiS4:yCe。本发明的铈掺杂硫化物闪烁体，在室温下同时具备高发光效率、快闪烁和抗辐照和湿度稳定性。
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公开(公告)号：CN114774128A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210232044.1
申请日：2022-03-09
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K11/88 , C01F17/10 , C01F17/288 , G01T1/202
Abstract: 本发明公开了一种二价铕硫化物近红外闪烁体，所述二价铕硫化物近红外闪烁体为晶体材料，其化学式为Eu3SiS4Te，其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，空间群为Cmcm。本发明还提供了所述的二价铕硫化物近红外闪烁体的制备方法，包括以下步骤：将氧化铕、硅粉、硫粉、硼粉、碲粉和过量的助熔剂混合、研磨后，真空下密封，再于850～950℃下煅烧，使得原料发生反应；反应结束后，得到产物Eu3SiS4Te。本发明提供的二价铕硫化物近红外闪烁体，具有优异的抗辐照和湿度稳定性。
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公开(公告)号：CN114774128B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210232044.1
申请日：2022-03-09
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K11/88 , C01F17/10 , C01F17/288 , G01T1/202
Abstract: 本发明公开了一种二价铕硫化物近红外闪烁体，所述二价铕硫化物近红外闪烁体为晶体材料，其化学式为Eu3SiS4Te，其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，空间群为Cmcm。本发明还提供了所述的二价铕硫化物近红外闪烁体的制备方法，包括以下步骤：将氧化铕、硅粉、硫粉、硼粉、碲粉和过量的助熔剂混合、研磨后，真空下密封，再于850～950℃下煅烧，使得原料发生反应；反应结束后，得到产物Eu3SiS4Te。本发明提供的二价铕硫化物近红外闪烁体，具有优异的抗辐照和湿度稳定性。
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