公开(公告)号：CN118190160A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311856274.6

申请日：2023-12-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 庄聆琳 ,  潘俏 ,  杨子江 ,  沈为民

IPC: G01J3/28 ,  G01J3/02

Abstract: 本发明涉及一种基于阵列矩形光纤的成像光谱仪二维空间匀化器，包括：若干矩形光纤，所述若干矩形光纤按照线性阵列排布，所述若干矩形光纤的入口端对应前置光学系统的像面，并且所述若干矩形光纤的出口端对应准直光学系统的入射狭缝，所述若干矩形光纤的排布为在狭缝入口为M*N根，并且在狭缝出口处为n排，即出口处可为(M/n)*(nN)根。本发明的基于阵列矩形光纤的成像光谱仪二维空间匀化器，基于矩形光纤阵列的二维空间匀化器(2DSH)可以在光谱和空间方向上对输入的场景进行分段匀化。本发明的基于阵列矩形光纤的成像光谱仪二维空间匀化器由矩形光纤阵列组成，它可以在跨轨和沿轨两维对非均匀场景辐射实现匀化。

公开(公告)号：CN115657183A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211453036.6

申请日：2022-11-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨子江 ,  潘俏 ,  吴绍龙 ,  刘全 ,  沈为民

IPC: G02B5/18

Abstract: 本发明公开了一种全息曝光‑湿法刻蚀中阶梯光栅的制备方法，包括：将单晶硅棒作为基底，根据所需光栅闪耀角对基底进行斜切处理，生长钝化层和旋涂光刻胶层，对光刻胶层进行全息曝光显影，用莫尔条纹使干涉条纹与基底表面特定晶向平行，提高对准精度；利用灰化技术去除残胶，增大湿法刻蚀窗口，提升湿法刻蚀效率；对灰化处理后基底进行反应离子刻蚀和湿法刻蚀，去除表面光刻胶层和钝化层得到梯形平台光栅，多次氧化沟槽表面的硅再去除氧化层以逐步减小梯形平台，直至出现尖角，提升中阶梯光栅的衍射效率。本发明将全息曝光与湿法刻蚀结合，降低中阶梯光栅的制备成本，并且制备的中阶梯光栅具有无鬼线、低杂散光、闪耀角准确、衍射效率高的优点。