公开(公告)号：CN118392954B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410376299.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 赵天翊 ,  张泽堃 ,  王玉生 ,  孙宝全

IPC: G01N27/26 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明涉及一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器，其中，方法包括(1)以硅片作为材料基底；(2)对所述硅片进行预处理；(3)对预处理后的硅片进行硅线刻蚀，在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列；(4)对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片；(5)在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极，并将导线嵌入所述正、负电极中，完成无声传译传感器件制备。本发明构建的无声传译传感器灵敏度较高，能在极短时间内完成数据的采集，基于无声传译传感器构建的无声传译传系统采用神经网络能够对采集的数据进行较好的识别。

公开(公告)号：CN117923412A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311834847.5

申请日：2023-12-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张泽堃 ,  王玉生 ,  孙宝全

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H02N3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种柔性硅微纳结构水伏器件及其制备方法，其包括：正极电极及负极电极；柔性硅组件层，所述柔性硅组件层设置于所述正极电极与所述负极电极之间，其包括相互连接的基底及纳米阵列层，其中，所述基底连接所述负极电极，所述纳米阵列层连接所述正极电极。本发明突破了传统高性能半导体水伏器件的机械刚性与脆性，大幅拓展水伏器件应用领域，而且本申请采用高导电硅与微纳力学结构解决柔性条件下的导电的难题，此外，本申请兼具材料易得、成本低、性能好且适用范围广泛的优势，此外，该器件在弯折状态下也能够保持稳定的信号输出，由此也为构造新型柔性可穿戴含水生理信号传感器奠定了基础。

公开(公告)号：CN118392954A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410376299.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 赵天翊 ,  张泽堃 ,  王玉生 ,  孙宝全

IPC: G01N27/26 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明涉及一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器，其中，方法包括(1)以硅片作为材料基底；(2)对所述硅片进行预处理；(3)对预处理后的硅片进行硅线刻蚀，在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列；(4)对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片；(5)在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极，并将导线嵌入所述正、负电极中，完成无声传译传感器件制备。本发明构建的无声传译传感器灵敏度较高，能在极短时间内完成数据的采集，基于无声传译传感器构建的无声传译传系统采用神经网络能够对采集的数据进行较好的识别。