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公开(公告)号：CN102263204A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110203700.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机-无机杂化太阳能电池，包括：金属背电极、n型硅基底层、硅纳米线阵列和电池正极；还包括：p-型空穴传输壳层；所述p-型空穴传输壳层为共轭有机物半导体薄膜；其中，n型硅基底层下表面设有金属背电极；n型硅基底层上表面设有硅纳米线阵列；硅纳米线阵列中的硅纳米线表面包覆一层p-型空穴传输壳层；p-型空穴传输壳层上设有电池正极。由于本发明采用硅纳米线阵列与共轭有机物构成三维径向的p-n结杂化结构，一方面提高对光的吸收，减少了硅的用量，降低了对硅的纯度要求，另一方面缩短了载流子传输距离，克服了载流子容易复合的问题，提高了光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103346260A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310313827.3
申请日：2013-07-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开一种有机薄膜钝化硅表面的有机-无机杂化太阳能电池，主要包括正面银栅电极、有机导电薄膜、烷基化处理的n型单晶硅基体、背面铝电极或铟镓合金电极，还包括有机薄膜钝化层，有机薄膜钝化层覆于烷基化处理的n型单晶硅基体的正面，上覆盖有机导电薄膜，有机导电薄膜上设有正面银栅电极，烷基化处理的n型单晶硅基体的背面覆有铝电极或铟镓合金电极，并与之形成欧姆接触；本发明采用简单的旋涂法在硅表面形成不同种类的有机钝化膜，形成基于有机薄膜钝化层的光电转化效率达到11%有机-无机杂化的异质结太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103346260B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310313827.3
申请日：2013-07-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开一种有机薄膜钝化硅表面的有机-无机杂化太阳能电池，主要包括正面银栅电极、有机导电薄膜、烷基化处理的n型单晶硅基体、背面铝电极或铟镓合金电极，还包括有机薄膜钝化层，有机薄膜钝化层覆于烷基化处理的n型单晶硅基体的正面，上覆盖有机导电薄膜，有机导电薄膜上设有正面银栅电极，烷基化处理的n型单晶硅基体的背面覆有铝电极或铟镓合金电极，并与之形成欧姆接触；本发明采用简单的旋涂法在硅表面形成不同种类的有机钝化膜，形成基于有机薄膜钝化层的光电转化效率达到11%有机-无机杂化的异质结太阳能电池。
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公开(公告)号：CN102263204B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110203700.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机-无机杂化太阳能电池，包括：金属背电极、n型硅基底层、硅纳米线阵列和电池正极；还包括：p-型空穴传输壳层；所述p-型空穴传输壳层为共轭有机物半导体薄膜；其中，n型硅基底层下表面设有金属背电极；n型硅基底层上表面设有硅纳米线阵列；硅纳米线阵列中的硅纳米线表面包覆一层p-型空穴传输壳层；p-型空穴传输壳层上设有电池正极。由于本发明采用硅纳米线阵列与共轭有机物构成三维径向的p-n结杂化结构，一方面提高对光的吸收，减少了硅的用量，降低了对硅的纯度要求，另一方面缩短了载流子传输距离，克服了载流子容易复合的问题，提高了光电转换效率。
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