公开(公告)号：CN114613902A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210134585.0

申请日：2022-02-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 胡志军 ,  何宝胜

IPC: H01L41/257 ,  H01L41/193 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于薄膜技术领域，涉及一种聚合物薄膜极化的方法，包括以下步骤：将模板置于待极化聚合物薄膜的表面，所述模板贴合极化聚合物薄膜表面的一侧表面具有微纳米结构阵列；将所述待极化聚合物薄膜加热至粘流态，在压力作用下，使部分粘流态的聚合物薄膜挤入模板表面的微纳米结构中冷却使所述待极化聚合物薄膜固化，剥离模板，完成极化过程。本发明所提供的聚合物薄膜极化方法，在极化的过程中无需施加电场，不会使聚合物薄膜和电路层直接承受高压电场，因此能够有效避免聚合物薄膜或电子器件被击穿，有效提高极化膜的生产合格率，可以实现大规模生产。

公开(公告)号：CN114613902B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210134585.0

申请日：2022-02-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 胡志军 ,  何宝胜

IPC: H10N30/045 ,  H10N30/857 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于薄膜技术领域，涉及一种聚合物薄膜极化的方法，包括以下步骤：将模板置于待极化聚合物薄膜的表面，所述模板贴合极化聚合物薄膜表面的一侧表面具有微纳米结构阵列；将所述待极化聚合物薄膜加热至粘流态，在压力作用下，使部分粘流态的聚合物薄膜挤入模板表面的微纳米结构中冷却使所述待极化聚合物薄膜固化，剥离模板，完成极化过程。本发明所提供的聚合物薄膜极化方法，在极化的过程中无需施加电场，不会使聚合物薄膜和电路层直接承受高压电场，因此能够有效避免聚合物薄膜或电子器件被击穿，有效提高极化膜的生产合格率，可以实现大规模生产。