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公开(公告)号:CN117587522B
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410082124.2
申请日:2024-01-19
申请人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
IPC分类号: G06F13/40
摘要: 本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法,涉及碳化硅设备技术领域,包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统;控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控,包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通,以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口,将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布,提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。
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公开(公告)号:CN117587522A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202410082124.2
申请日:2024-01-19
申请人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
摘要: 本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法,涉及碳化硅设备技术领域,包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统;控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控,包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通,以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口,将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布,提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。
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