粘接剂用清洗剂组合物
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118742998A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202380023008.7

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明在一个方式提供一种粘接剂的去除性优异的粘接剂用清洗剂组合物。本发明在一个方式涉及一种粘接剂用清洗剂组合物,其是用于去除残留于晶圆的粘接剂的清洗剂组合物,且含有二醇醚(成分A)、烃(成分B)、及具有直链的烷醇基的烷醇胺(成分C),不含水或者水的含量为10质量%以下,成分A的含量与成分B的含量的质量比A/B为1.7以下。

    树脂掩膜剥离用清洗剂组合物

    公开(公告)号:CN111566567B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN201880084864.2

    申请日:2018-07-27

    Inventor: 山田晃平

    Abstract: 本发明在一个方案中提供一种树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。本发明在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物,其含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C),成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd=18.3、δp=6.8、δh=3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内,使用时的成分C的含量为69.9质量%以上且99.4质量%以下。

    基板的清洗方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115280244A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202180019641.X

    申请日:2021-04-14

    Inventor: 山田晃平

    Abstract: 本发明在一个方式中提供一种树脂掩膜去除性优异、可抑制铜的腐蚀及变色的清洗方法。本发明在一个方式中涉及一种基板的清洗方法,其包括使用清洗剂组合物从表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜的工序,上述清洗剂组合物含有碱剂(成分A)、铵离子(NH4+,成分B)、巯基乙酸(成分C)及水(成分D),且成分B相对于成分C的摩尔比(B/C)为1.5以上。

    树脂掩膜剥离用清洗剂组合物

    公开(公告)号:CN111566567A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201880084864.2

    申请日:2018-07-27

    Inventor: 山田晃平

    Abstract: 本发明在一个方案中提供一种树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。本发明在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物,其含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C),成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd=18.3、δp=6.8、δh=3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内,使用时的成分C的含量为69.9质量%以上且99.4质量%以下。

    基板的清洗方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116018397A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202180052691.8

    申请日:2021-09-03

    Abstract: 本发明在一个方式中提供一种基板的清洗方法,其能够抑制铜腐蚀而不大幅损害树脂掩膜除去性(剥离性)、且不使清洗后的基板上的残留物大幅增加。本发明在一个方式中涉及一种基板的清洗方法,其包括如下工序:使用含有下述成分A、下述成分B及下述成分C的清洗剂组合物,从在表面具有含铜金属层及树脂掩膜的基板剥离树脂掩膜。成分A:下述式(I)所表示的季铵氢氧化物及下述式(II)所表示的胺;成分B:还原剂;成分C:水。

    皮肤清洁剂组合物
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106659654B

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201580035930.3

    申请日:2015-06-29

    Abstract: 本发明的皮肤清洁剂组合物含有以下的成分(A)、(B)、(C)、(D)、(E)、(F)及(G):(A)30℃下的粘度超过30mPa·s的油剂0.5~20质量%、(B)30℃下的粘度为30mPa·s以下的油剂0.5~20质量%、(C)具有将糖、还原糖或聚甘油中的至少1个羟基的氢原子去除而获得的残基作为亲水基的HLB为10以上的非离子表面活性剂1~15质量%、(D)HLB为8以下的非离子表面活性剂1~15质量%、(E)多元醇10~60质量%、(F)水10~50质量%、(G)具有聚氧乙烯链作为亲水基的HLB为10以上的非离子表面活性剂4~45质量%,并且,成分(A)相对于成分(B)的质量比(A)/(B)为0.05~30,成分(A)及(B)的合计质量相对于成分(C)、(D)及(G)的合计质量的比((A)+(B))/((C)+(D)+(G))为0.1~1.5。

    半导体基板的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119301742A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202380044076.1

    申请日:2023-06-14

    Inventor: 山田晃平

    Abstract: 本发明在一个方式中提供一种使用粘接剂的去除性优异的清洗剂组合物的半导体基板的制造方法。本发明涉及一种半导体基板的制造方法,其包括如下工序:(1)利用粘接剂将晶圆粘接于固定构件的工序;(2)对晶圆的与固定构件粘接的面的背面进行研磨的工序;(3)对晶圆的经研磨的面进行加工的工序;(4)使经加工的晶圆与固定构件分离的工序;及(5)利用清洗剂将残留于分离后的晶圆的粘接剂去除的工序;且上述工序(3)包括对利用粘接剂固定于固定构件的晶圆在230℃以上的温度条件下进行加热处理,上述工序(5)中所使用的上述清洗剂是含有烷醇胺(成分A)及下述式(I)所表示的二醇醚(成分B),且成分A的含量为35质量%以上且85质量%以下的清洗剂组合物。R‑O‑(EO)n‑H(I)。

    粘接剂用清洗剂组合物
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118742997A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202380022785.X

    申请日:2023-05-25

    Inventor: 山田晃平

    Abstract: 在一个方式中,本发明提供一种粘接剂的去除性优异的粘接剂用清洗剂组合物。在一个方式中,本发明涉及一种粘接剂用清洗剂组合物,其是用于去除残留于晶圆的粘接剂的清洗剂组合物,含有有机溶剂(成分A)及表面活性剂(成分B),成分B是选自氟系表面活性剂及硅酮系表面活性剂中的至少1种表面活性剂,成分A的含量为90质量%以上且99.97质量%以下,成分B的含量为0.03质量%以上且5质量%以下。

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