公开(公告)号：CN116323843A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180068443.2

申请日：2021-09-30

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 井上将来 ,  山口哲史

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明在一个方式中，提供一种氧化硅膜用研磨液组合物，其可以兼顾氧化硅膜的研磨速度的提高和凹凸图案处的研磨速度的线宽依赖性的降低。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、下述式(I)或式(II)所表示的化合物(成分B)、至少1个氢原子被羟基取代的含氮杂芳香族化合物(成分C)、及水系介质。

公开(公告)号：CN112753095B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201980062898.6

申请日：2019-09-18

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 土居阳彦 ,  山口哲史 ,  菅原将人 ,  盛池孝直 ,  井上将来

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。

公开(公告)号：CN112753095A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062898.6

申请日：2019-09-18

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 土居阳彦 ,  山口哲史 ,  菅原将人 ,  盛池孝直 ,  井上将来

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明在一个方式中提供一种能够提高氧化硅膜的研磨速度的研磨液组合物。本发明在一个方式中涉及一种氧化硅膜用研磨液组合物，其含有氧化铈粒子(成分A)、添加剂(成分B)、及水系介质，成分B是当对成分B的10ppm水溶液利用循环伏安法(Ag/AgCl电极基准)进行测定时，还原电位为0.45V以上的化合物。